| 摘要 |
提供一种可防止在半导体装置之制造程序中因切断而造成使功能元件受到破坏时半导体基板。半导体基板1之特征在于：藉由雷射光之照射而使得被形成在该雷射光之聚光点位置之多光子吸收所造成之熔融处理区域，而使切断起点区域9a及切断起点区域9b形成在内部。藉此在半导体装置之制造程序中，系可将功能元件形成在如同知之半导体基板之表面上。并且，在使切断起点区域9a、9b形成在半导体基板1之内部后，可藉由较小之力沿着切断起点区域9a、9b而以较高精度来分割、切断半导体基板1。从而，在半导体装置之制造程序中，可防止在功能元件形成后因半导体基板1之切断所造成之功能元件之破坏。 |
