| 主权项 |
1.一种可拆卸式基板之制备方法,包括经由将一层之一面分子黏着至基板之一面,经由黏合而制造界面之步骤,此方法在黏合步骤之前包括处理该面之至少一者,以使界面之机械强度降低至可与后续拆卸相容之受控程度的步骤。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该处理步骤包括修改至少一该面之糙度及/或亲水性之步骤。3.如申请专利范围第2项之方法,其中,该修改糙度之步骤系为提高糙度之步骤。4.如申请专利范围第3项之方法,其中,该提高糙度之步骤包括将相关面局部化学蚀刻。5.如申请专利范围第4项之方法,其中,该化学蚀刻系为酸蚀刻。6.如申请专利范围第5项之方法,其中,该酸蚀刻系利用HF酸进行。7.如申请专利范围第1至6项中任一项之方法,其中,在该制造界面之步骤之后为于黏合界面将层自基板提升之步骤。8.如申请专利范围第7项之方法,其中,该提升步骤系利用化学蚀刻及/或施加应力而进行。9.如申请专利范围第7项之方法,其中,在提升步骤之前将晶圆切割成至少一单元。10.如申请专利范围第9项之方法,其中,该提升系逐单元地进行。11.如申请专利范围第7项之方法,其中,在制造界面之步骤与提升步骤之间进行黏合步骤,且其间将层黏合至第二基板(16.16')。12.如申请专利范围第9项之方法,其中,在制造界面之步骤与提升步骤之间进行黏合步骤,且其间将层黏合至第二基板(16.16)。13.如申请专利范围第11项之方法,其中,该黏合步骤包括利用分子黏着黏合。14.如申请专利范围第11项之方法,其中,该黏合步骤包括利用黏着剂黏合。15.如申请专利范围第14项之方法,其中,该藉由黏着剂之黏合系使用可藉由UV辐射而硬化之黏着剂进行。16.如申请专利范围第11项之方法,其中,该提升第二基板之步骤系经由化学蚀刻及/或施加机械及/或热及/或光子应力而进行。17.如申请专利范围第1至6项中任一项之方法,其中,该层系为矽。18.如申请专利范围第7项之方法,其中,该层系为矽。19.如申请专利范围第10项之方法,其中,该层系为矽。20.如申请专利范围第11项之方法,其中,该层系为矽。21.一种可拆卸式基板,包括藉由分子黏着而于各别表面黏合在一起之两板,该表面之至少一者经处理成具有可于两板之间之界面获致选择机械强度之受控的糙度及/或亲水性。22.如申请专利范围第21项之可拆卸式基板,其中,各该面经处理。23.如申请专利范围第21或22项之可拆卸式基板,其中,该经处理表面之rms糙度系至少0.3奈米(nm)。24.如申请专利范围第21或22项之可拆卸式基板,其中一板为基板及另一者为一层,且该层亦黏合至第二基板(16.16')。25.如申请专利范围第23项之可拆卸式基板,其中一板为基板及另一者为一层,且该层亦黏合至第二基板(16.16)。26.如申请专利范围第23项之可拆卸式组合,其中,该第二基板系藉由分子黏着黏合。27.如申请专利范围第24项之可拆卸式组合,其中,该第二基板系藉由分子黏着黏合。28.如申请专利范围第24项之可拆卸式基板,其中,该第二基板系藉由黏着剂黏合。29.如申请专利范围第28项之可拆卸式基板,其中,该藉由黏着剂之黏合系使用可藉由UV辐射而硬化之黏着剂。30.如申请专利范围第21或22项之可拆卸式基板,其中,该层系为矽。31.如申请专利范围第23项之可拆卸式基板,其中,该层系为矽。32.如申请专利范围第27项之可拆卸式基板,其中,该层系为矽。33.如申请专利范围第29项之可拆卸式基板,其中,该层系为矽。图式简单说明:图1系于基板上之薄层之组合之剖面的示意图,在层与基板之间的界面具有黏合能,图2系图1之组合于沈积或成长表面层后之示意图,图3系先前之结构于分子黏合称为最终基板之第二基板后的图示,图4系于在薄层与第一基板之间之界面高度施加提升作用期间的图示,图5系于提升及移除被释放之界面层后制得之晶圆的示意图,图6系图1类型之可拆卸式组合的图示,图7系其于制造组件,例如第一电晶体闸后之图示,图8系其于沈积氧化物后之图示,图9系其于弄平(例如利用CMP)后之图示,图10系其于利用分子黏着(包括热处理)而黏合后之图示,图11系其于拆卸及去氧,以移除被释放之界面层后的图示,图12系图1类型之可拆卸式组合的图示,图13系其于制造组件后之图示,图14系其于经由HF蚀刻及/或施加机械力,未转移至靶基板而拆卸之期间的图示,图15系其于拆卸而得最终基板及可再循环之基板后的图示,图16系于在组件之间切割沟渠或缺口后之图13的变形,图17系显示组件在被提升之过程中,例如于HF蚀刻后之图示,图18系类似于图1之图示,图19系于藉由黏着剂黏合透明基板后之图3组合之剖面的示意图,图20系此组合于提升及抛光后之下部的图示,图21系此组合于提升及抛光后之上部的图示,图22系与图1类似之组合的图示,其指示经由机械及化学裁整而除去的区域,图23系其于黏着上方基板后之图示,图24系与图1类似之组合的图示,图25系其于沈积以GaN为主之磊晶堆叠后之图示,图26系其于黏合基板后之图示,图27系其于提升时的图示,图28系于将被释放之界面层移除后之其之上部的图示,及图29系其于移除一开始在堆叠下方之层之后的图示。 |
