| 主权项 |
1.一种高高温伸长率电解铜箔之制造方法,系利用一酸性硫酸铜溶液作为电镀液,而制造出一高高温伸长率电解铜箔的方法,该酸性硫酸铜溶液中包含有:一凝胶、一氯离子、一铜离子及一硫酸,其特征在于:该酸性硫酸铜镀液中所含该凝胶浓度范围在1.5ppm(百万分之一)以下,且该氯离子浓度范围在20ppm(百万分之一)以下。2.如申请专利范围第1项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含氯离子浓度之较佳范围为6-12ppm。3.如申请专利范围第1项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含铜离子浓度范围为40-70克每升(g/L)。4.如申请专利范围第3项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含铜离子浓度之较佳范围为50-65克每升(g/L)。5.如申请专利范围第1项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含硫酸浓度范围为60-120克每升(g/L)。6.如申请专利范围第5项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含硫酸浓度之较佳范围为80-120克每升(g/L)。7.如申请专利范围第1项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液之操作温度范围为摄氏40-70度。8.如申请专利范围第7项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液之操作温度之较佳范围为摄氏50-60度。9.如申请专利范围第1项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液之操作电流密度范围为0.4-1.0安培每平方公分。10.如申请专利范围第9项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液之操作电流密度之较佳范围为0.5-0.8安培每平方公分。11.一种高高温伸长率电解铜箔之制造方法,系利用一酸性硫酸铜溶液作为电镀液,而制造出一高高温伸长率电解铜箔的方法,该酸性硫酸铜溶液中包含有:一凝胶、一氯离子、一铜离子及一硫酸,其特征在于:该酸性硫酸铜镀液中所含氯离子浓度范围在20ppm(百万分之一)以下。12.如申请专利范围第11项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含氯离子浓度之较佳范围为6-12ppm。13.如申请专利范围第11项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含凝胶之浓度范围在1.5ppm(百万分之一)以下。14.如申请专利范围第11项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含铜离子浓度范围为40-70克每升(g/L)。15.如申请专利范围第14项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含铜离子浓度之较佳范围为50-65克每升(g/L)。16.如申请专利范围第11项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含硫酸浓度范围为60-120克每升(g/L)。17.如申请专利范围第16项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液中所含硫酸浓度之较佳范围为80-120克每升(g/L)。18.如申请专利范围第11项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液之操作温度范围为摄氏40-70度。19.如申请专利范围第18项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液之操作温度之较佳范围为摄氏50-60度。20.如申请专利范围第11项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液之操作电流密度范围为0.4-1.0安培每平方公分。21.如申请专利范围第20项所述之高高温伸长率电解铜箔之制造方法,其中该酸性硫酸铜镀液之操作电流密度之较佳范围为0.5-0.8安培每平方公分。图式简单说明:表1为本发明所生产之电解铜箔与其他市售的商用电解铜箔之性能比较;附件1为氯离子浓度为2ppm操作条件下之电解铜箔表面的结晶型态图;附件2为氯离子浓度为8ppm操作条件下之电解铜箔表面的结晶型态图;及附件3为电解铜箔(Hoz)之高温伸长率値与氯离子浓度效应的关系图。 |
