发明名称 近场超解析载(盖)玻片
摘要 本发明系为一种近场超解析之载(盖)玻片,系由一透光基板以及披覆于透光基板上的至少三层薄膜层所组成,此三层薄膜层包含一层可产生非线性近场光学局域作用之奈米结构层,以及保护及维持此奈米结构层的第一、第二透光介电质薄膜层;藉此构成,此载(盖)玻片在一般扫描式光学显微镜上使用,即可对奈米尺度的生物组织、微小颗粒结构样品实现超越绕射极限的空间解析度。
申请公布号 TW561275 申请公布日期 2003.11.11
申请号 TW091109862 申请日期 2002.05.13
申请人 国立台湾大学 发明人 蔡定平;林宇轩
分类号 G02B21/34 主分类号 G02B21/34
代理机构 代理人 吴宏山 台北市内湖区行爱路一七六号三楼
主权项 1.一种近场超解析之载(盖)玻片,其组成结构至少包含:一透光基板;一可产生非线性近场光学局域作用之奈米结构层,披覆于该透光基板上;一第一透光介电质薄膜层,披覆于该透光基板与该可产生非线性近场光学局域作用之奈米结构层之间;一第二透光介电质薄膜层,披覆于该可产生非线性近场光学局域作用之奈米结构层表面。2.如申请专利范围第1项所述近场超解析之载(盖)玻片,其中该透光基板可由二氧化矽(SiO2)玻璃材质及掺杂之二氧化矽(SiO2)玻璃材质所组成。3.如申请专利范围第1项所述近场超解析之载(盖)玻片,其中该透光基板可由透明之聚合物材质所组成。4.如申请专利范围第1项所述近场超解析之载(盖)玻片,其中该第一透光介电质薄膜层与第二透光介电质薄膜层,其组成至少可由以下材料组群所构成之介电材质:硫化锌、氧化矽(ZnS-SiOx)、氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。5.如申请专利范围第1项或第4项所述近场超解析之载(盖)玻片,其中该第一透光介电质薄膜层与第二透光介电质薄膜层可为多层结构。6.如申请专利范围第1项或第4项所述近场超解析之载(盖)玻片,其中该第一透光介电质薄膜层较佳厚度范围介于100nm~200nm之间者。7.如申请专利范围第1项或第4项所述近场超解析之载(盖)玻片,其中该第二透光介电质薄膜层较佳厚度范围介于5nm~100nm之间者。8.如申请专利范围第1项所述近场超解析之载(盖)玻片,其中该可产生非线性近场光学局域作用之奈米结构层至少可选自下列材料所构成的组群:锌(Zn)、矽(Si)、镍(Ni)、锑(Sb)、银(Ag)、锗(Ge)、铝(Al)、铜(Cu)、铂(Pt)、钴(Co)、锰(Mn)、铬(Cr)、钛(Ti)、钠(Na)、镓(Ga)、砷(As)、硒(Se)、铟(ln)、锡(Sn)、碲(Te)、或金(Au)。9.如申请专利范围第1项所述近场超解析之载(盖)玻片,其中该可产生非线性近场光学局域作用之奈米结构层至少可选自下列氧化物材料所构成的组群:氧化锌(ZnOx)、氧化矽(SiOx)、氧化锗(GeOx)、氧化镍(NiOx)、氧化锑(SbOx)、氧化铝(AlOx)、氧化银(AgOx)、氧化铜(CuOx)、氧化钴(CoOx)、氧化锰(MnOx)、氧化铬(CrOx)、氧化钛(TiOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟(InOx)或氧化锡(SnOx)。10.如申请专利范围第1项或第8项所述之结构,其中该可产生非线性近场光学局域作用之奈米结构层之组成材料可为元素、化合物或混合物。11.如申请专利范围第1项或第8项所述之结构,其中可产生非线性近场光学局域作用之奈米结构层,较佳厚度范围为5nm~100nm。图式简单说明:第一图,系本发明近场超解析盖玻片或载玻片之结构组成图;第二图,系近场超解析盖玻片及载玻片的工作原理示意图;第三图,显示近场超解析盖玻片与扫描式光学显微镜配合之实施范例;第四图,显示近场超解析载玻片与扫描式光学显微镜配合之实施范例;第五图,系本发明之应用于扫描式光学显微镜之实际实验结果之一。
地址 台北市大安区罗斯福路四段一号