| 主权项 |
1.一种光电装置,至少包括:一透明导电基板;一光电元件,系设置于该透明导电基板上,且该光电元件与该透明导电基板电连接;以及一基座,形成有一开口,其中该开口之一底面为一反射面,且该光电元件系容置于该开口中。2.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该光电元件系一发光元件,且该光电元件所发出的光经由该反射面反射射出。3.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该光电元件系一发光元件,且该光电元件所发出的光透过该透明导电基板射出。4.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该光电元件系一发光元件,且该光电元件所发出的光之一部分透过该透明导电基板射出,而该光电元件所发出的光之另一部分则经由该反射面反射射出。5.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该光电元件系一感光元件,且该光电元件接收经由该反射面反射的光。6.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该光电元件系一感光元件,且该光电元件接收透过该透明导电基板射入的光。7.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该光电元件系一感光元件,且该光电元件接收透过该透明导电基板射入的光以及经由该反射面反射的光。8.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该开口之一内壁具有一光反射层。9.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该反射面系选自于由凸曲面以及凹曲面所组成之一族群。10.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该反射面更包括一萤光层,以便改变射至该反射面之一光线的一波长。11.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该基座之材质系选自于由陶瓷材料以及半导体材料所组成之一族群。12.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该基座之两侧系分别形成有一第一电极部以及一第二电极部,且该第一电极部以及该第二电极部分别电连接至该透明导电基板。13.如申请专利范围第12项所述之光电装置,其中该第一电极部以及该第二电极部系表面黏着元件(Surface Mounted Device;SMD)。14.如申请专利范围第12项所述之光电装置,其中该光电元件系悬离于该开口之该底面。15.如申请专利范围第12项所述之光电装置,其中该光电元件系与该开口之该底面接触。16.如申请专利范围第15项所述之光电装置,其中该光电元件系与该第一电极部电连接。17.如申请专利范围第15项所述之光电装置,其中该光电元件系与该第二电极部电连接。18.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该透明导电基板至少包括:一透明板;一透明电极薄膜,系形成于该透明板上;以及一绝缘部,系形成于该透明板上,其中该绝缘部将该透明电极薄膜分隔成互相不导通之一第一透明电极薄膜区以及一第二透明电极薄膜区。19.如申请专利范围第18项所述之光电装置,其中更包括:一接合焊垫,系形成于该第二透明电极薄膜区上;以及一导电线,其中该光电元件与该透明导电基板电连接系该光电元件藉由该导电线与该接合焊垫电连接。20.如申请专利范围第18项所述之光电装置,其中更包括:二个接合焊垫,其中每一该二个接合焊垫系分别形成于该第一透明电极薄膜区及该第二透明电极薄膜区上;以及二个导电线,其中该光电元件与该透明导电基板电连接系该光电元件分别藉由每一该二个导电线与每一该二个接合焊垫电连接。21.如申请专利范围第18项所述之光电装置,其中该光电元件与该透明导电基板电连接系该光电元件分别藉由二个导电胶与该第一透明电极薄膜区以及该第二透明电极薄膜区电连接。22.如申请专利范围第18项所述之光电装置,其中该透明电极薄膜之材料为氧化铟锡(ITO)。23.如申请专利范围第18项所述之光电装置,其中该透明电极薄膜之材料系选自于由氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、镉锡氧化物(CTO)、铟锌氧化物(IZO)、二氧化锆(ZrO2)、以及铝锌氧化物(AZO)所组成之一族群。24.如申请专利范围第18项所述之光电装置,其中该透明电极薄膜系选自于由镍、银、铝、钛、铬、金、铂、钨、矽化钨、锌、铟、以及铝矽合金所组成之一族群。25.如申请专利范围第18项所述之光电装置,其中该透明电极薄膜系选自于由氧化铟锡、氧化锌、镉锡氧化物、铟锌氧化物、二氧化锆、铝锌氧化物、镍、银、铝、钛、铬、金、铂、钨、矽化钨、锌、铟、以及铝矽合金所组成之一族群。26.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中更包括于该开口中填充一材质,且该材质系选自于由气体、胶质、以及不导电液体所组成之一族群。27.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中该光电装置系选自于由发光二极体灯(LED Lamp)、发光二极体背光板(LED Backlight)、发光二极体高功率封装构件(LED High Power Package)、以及发光二极体晶胞(LED Cell;COB LEDs)所组成之一族群。28.一种光电装置,至少包括:一透明导电基板;一光电元件,系设置于该透明导电基板上,且该光电元件与该透明导电基板电连接;一基座,形成有一开口,其中该开口之一底面为一反射面,且该光电元件系容置于该开口中;以及一第一电极部以及一第二电极部,系分别形成于该基座之两侧,且该第一电极部以及该第二电极部分别电连接至该透明导电基板。29.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该光电元件系一发光元件,且该光电元件所发出的光经由该反射面反射射出。30.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该光电元件系一发光元件,且该光电元件所发出的光透过该透明导电基板射出。31.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该光电元件系一发光元件,且该光电元件所发出的光之一部分透过该透明导电基板射出,而该光电元件所发出的光之另一部分则经由该反射面反射射出。32.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该光电元件系一感光元件,且该光电元件接收经由该反射面反射的光。33.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该光电元件系一感光元件,且该光电元件接收透过该透明导电基板射入的光。34.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该光电元件系一感光元件,且该光电元件接收透过该透明导电基板射入的光以及经由该反射面反射的光。35.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该开口之一内壁具有一光反射层。36.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该反射面系选自于由凸曲面以及凹曲面所组成之一族群。37.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该反射面更包括一萤光层,以便改变射至该反射面之一光线的一波长。38.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该基座之材质系选自于由陶瓷材料以及半导体材料所组成之一族群。39.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该第一电极部以及该第二电极部系表面黏着元件。40.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该光电元件系悬离于该开口之该底面。41.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该光电元件系与该开口之该底面接触。42.如申请专利范围第41项所述之光电装置,其中该光电元件系与该第一电极部电连接。43.如申请专利范围第41项所述之光电装置,其中该光电元件系与该第二电极部电连接。44.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中该透明导电基板至少包括:一透明板;一透明电极薄膜,系形成于该透明板上;以及一绝缘部,系形成于该透明板上,其中该绝缘部将该透明电极薄膜分隔成互相不导通之一第一透明电极薄膜区以及一第二透明电极薄膜区。45.如申请专利范围第44项所述之光电装置,其中更包括:一接合焊垫,系形成于该第二透明电极薄膜区上;以及一导电线,其中该光电元件与该透明导电基板电连接系该光电元件藉由该导电线与该接合焊垫电连接。46.如申请专利范围第44项所述之光电装置,其中更包括:二个接合焊垫,其中每一该二个接合焊垫系分别形成于该第一透明电极薄膜区及该第二透明电极薄膜区上;以及二个导电线,其中该光电元件与该透明导电基板电连接系该光电元件分别藉由每一该二个导电线与每一该二个接合焊垫电连接。47.如申请专利范围第44项所述之光电装置,其中该光电元件与该透明导电基板电连接系该光电元件分别藉由二个导电胶与该第一透明电极薄膜区以及该第二透明电极薄膜区电连接。48.如申请专利范围第44项所述之光电装置,其中该透明电极薄膜之材料为氧化铟锡。49.如申请专利范围第44项所述之光电装置,其中该透明电极薄膜之材料系选自于由氧化铟锡、氧化锌、镉锡氧化物、铟锌氧化物、二氧化锆、以及铝锌氧化物所组成之一族群。50.如申请专利范围第44项所述之光电装置,其中该透明电极薄膜系选自于由镍、银、铝、钛、铬、金、铂、钨、矽化钨、锌、铟、以及铝矽合含所组成之一族群。51.如申请专利范围第44项所述之光电装置,其中该透明电极薄膜系选自于由氧化铟锡、氧化锌、镉锡氧化物、铟锌氧化物、二氧化锆、铝锌氧化物、镍、银、铝、钛、铬、金、铂、钨、矽化钨、锌、铟、以及铝矽合金所组成之一族群。52.如申请专利范围第28项所述之光电装置,其中更包括于该开口中填充一材质,且该材质系选自于由气体、胶质、以及不导电液体所组成之一族群。图式简单说明:第1图系绘示习知发光二极体之结构;第2图系绘示习知发光二极体之基座部位的详图;第3图系绘示习知TO-CAN型光二极体之示意图;第4图系绘示本发明之一较佳实施例之光电装置之示意图,其中光电元件与开口之底面悬离;第5图系绘示本发明之另一较佳实施例之光电装置之示意图,其中基座之剖面呈阶梯状、反射面为凸曲面、且光电元件与开口之底面悬离;第6图系绘示本发明之又一较佳实施例之光电装置之示意图,其中基座之剖面呈阶梯状、反射面为凹曲面、且光电元件与开口之底面悬离;第7图系绘示本发明之再一较佳实施例之光电装置之示意图,其中利用两条导电线与第一透明电极薄膜区及第二透明电极薄膜区电连接,且光电元件与开口之底面悬离;第8图系绘示本发明之另一较佳实施例之光电装置之示意图,其中利用二导电胶与第一透明电极薄膜区及第二透明电极薄膜区电连接,且光电元件与开口之底面悬离;第9图系绘示本发明之又一较佳实施例之光电装置之示意图,其中光电元件与开口之底面接触;第10图系绘示本发明之又一较佳实施例之光电装置之基座之示意图,其中反射面为半凸曲面;第11图系绘示习知发光二极体之基座部位之示意图,其中更绘示可能的出射角之范围;以及第12图系绘示本发明之又一较佳实施例之具有感光元件之光电装置之基座之示意图,其中反射面为半凹曲面。 |
