半导体存储器的改进结构

摘要

一种半导体存储器的改进结构，包含：一常规存储单元数组，一常规译码器，一冗余存储单元数组，一冗余译码器，一冗余单元切换器，该切换器将传统每一输出设定装置中所用的2^k个熔丝减少至k个熔丝，以降低熔丝不完全熔断发生的机会，并避免数据线I/O间干扰的问题发生。应用本发明，除了能达到修补半导体存储器的功能外，由于可避免数据线I/O间因熔丝该熔断而未断所造成的干扰问题发生，还提高了半导体存储器的合格率及可靠度。

主权项

1.一种半导体存储器的改进结构，包括： 一常规存储单元数组； 一常规译码器，连接到该常规存储单元数组，并接受一译码禁止信号，一地址信号；当上述译码禁止信号未驱动时，上述常规译码器译码该地址信号，以驱动上述常规存储单元之一； 一冗余存储单元数组； 一冗余译码器，连接该冗余存储单元数组和常规译码器；以及 一冗余单元切换器，其特征在于，该切换器包括第一至第P个冗余输出切换器，其中，第p冗余输出切换器用以在具有常规存储单元数组和冗余存储单元数组的半导体存储器内，使上述冗余存储单元数组中的一冗余单元行，得以正确置换上述若干常规单元行中经测试诊断为有瑕疵的一特定瑕疵单元行，且1≤p≤P。