太阳能电池及其制造方法

摘要

一种太阳能电池100，系在半导体基板1的主表面形成凹凸部，并用绝缘膜3被覆该主表面，在主表面形成未被绝缘膜3被覆之半导体层露出区域5(包含凹凸部的至少部分凸部15的顶部)。在半导体层露出区域5内的凸部15之顶部25上，以直接或透过其它导电层来间接接触的方式形成输出取出用电极7。半导体层露出区域5，系以包含凹凸部15的形式用绝缘膜3被覆半导体基板1的主表面，且在凸部15顶部25以外区域将绝缘膜3用蚀刻保护膜4被覆，之后藉蚀刻来除去凸部15顶部25的绝缘膜3，如此般而形成出。

主权项

1、一种太阳能电池，系在半导体基板的主表面形成凹凸部，并用绝缘膜被覆该主表面；其特征在于，在主表面形成未被绝缘膜被覆之半导体层露出区域(包含凹凸部的至少部分凸部的顶部)，在该半导体层露出区域内之凸部顶部的顶端高度位置，系比该半导体层露出区域的外周缘之绝缘膜的最大高度位置为高，且在半导体层露出区域内的凸部之顶部上，以直接或透过其它导电层来间接接触的方式形成输出取出用电极。