| 发明名称 | 防止天线效应的非挥发性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种防止天线效应的非挥发性内存及其制造方法，其结构包括一高阻值部位与一存储单元部位的字符线覆盖于一基底上，又位于字符线与基底之间有一捕捉层。其中，字符线的高阻值部位电性连接位于基底的一接地掺杂区，而字符线的存储单元部位电性连接一金属内联机。 | ||
| 申请公布号 | CN1453876A | 申请公布日期 | 2003.11.05 |
| 申请号 | CN02118081.4 | 申请日期 | 2002.04.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郭东政;刘建宏;潘锡树;黄守伟 |
| 分类号 | H01L27/112;H01L27/10;H01L21/8239;H01L21/8246 | 主分类号 | H01L27/112 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种防止天线效应的非挥发性存储器，其特征是，其结构包括：一字符线覆盖于一基底上，该字符线包括一金属硅化物层与一多晶硅层，其中该字符线包括一高阻值部位与一存储单元部位，且该字符线的该高阻值部位电性连接位于该基底的一接地掺杂区；一捕捉层位于该字符线与该基底之间；以及一金属内联机，其通过一第一接触窗与该字符线的该存储单元部位电性连接。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||