| 主权项 |
1.一种去除铜金属层表面氧化铜的设备,可预防铜金属层突起,适用于一基底上铜金属层进行平坦化制程之后的介电材质制程中,该设备至少包含:一制程反应室;以及一远端电浆产生装置,连结该制程反应室,其中,该远端电浆产生装置产生一含氢离子电浆,并将该含氢离子电浆送入该制程反应室以去除该铜金属层表面氧化铜。2.如申请专利范围第1项所述之去除铜金属层表面氧化铜的设备,其中该介电材质为氮氧化矽、氮化矽、碳化矽或是氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之去除铜金属层表面氧化铜的设备,其中该沉积制程反应室内的温度介于约摄氏300度至摄氏400度之间。4.如申请专利范围第1项所述之去除铜金属层表面氧化铜的设备,其中远端电浆产生装置更包括一气体入口,适用于导入反应气体。5.如申请专利范围第1项所述之去除铜金属层表面氧化铜的设备,其中该反应气体可以为氢气或是氨气。6.如申请专利范围第1项所述之去除铜金属层表面氧化铜的设备,其中该反应气体更可以混合一惰性气体。7.如申请专利范围第6项所述之去除铜金属层表面氧化铜的设备,其中该惰性气体可以为氩气。8.如申请专利范围第1项所述之去除铜金属层表面氧化铜的设备,其中该含氢离子电浆更包括一具还原能力物质。9.如申请专利范围第8项所述之去除铜金属层表面氧化铜的设备,其中该具还原能力物质可以为氢原子、自由基或是带负电荷的阴离子。10.如申请专利范围第1项所述之去除铜金属层表面氧化铜的设备,其中该介电层的厚度约介于250埃至800埃之间。11.一种介电层的制造方法,适用于一基底上铜金属层进行平坦化制程之后的介电层制程中,该铜金属层表面具有一氧化铜层,该方法至少包含:将该基底传送入一沉积制程反应室;导入远端生成之一含氢离子电浆以去除铜金属层表面之氧化铜;以及沉积该介电层于该基底之上。12.如申请专利范围第11项所述之介电层的制造方法,其中该介电材质为氮氧化矽、氮化矽、碳化矽或是氧化矽。13.如申请专利范围第11项所述之介电层的制造方法,其中该沉积制程反应室内的温度介于约摄氏300度至摄氏400度之间。14.如申请专利范围第11项所述之介电层的制造方法,其中该电浆系由一远端电浆产生装置所产生。15.如申请专利范围第14项所述之介电层的制造方法,其中该远端电浆产生装置更包括一气体入口,适用于导入反应气体。16.如申请专利范围第14项所述之介电层的制造方法,其中该反应气体可以为氢气或是氨气。17.如申请专利范围第14项所述之介电层的制造方法,其中该反应气体更可以混合一惰性气体。18.如申请专利范围第17项所述之介电层的制造方法,其中该惰性气体可以为氩气。19.如申请专利范围第11项所述之介电层的制造方法,其中该含氢离子电浆更包括一具还原能力物质。20.如申请专利范围第19项所述之介电层的制造方法,其中该具还原能力物质可以为氢原子、自由基或是带负电荷的阴离子。21.如申请专利范围第11项所述之介电层的制造方法,其中该介电层的厚度约介于250埃至800埃之间。图式简单说明:第1图至第3图所示,为根据本发明一较佳实施例之一种双金属镶嵌内连线的制造方法;以及第4图系绘示依照本发明所揭露之一种去除氧化铜的制造设备之示意图。 |
