| 主权项 |
1.一种高亮度氮化镓系列发光二极体结构改良,包含一透明基底如Al2O3.SiC,一发光元件形成于基底之上;该发光元件至少包含一N-型氮化镓披覆层、一活性发光层、一P-型氮化镓披覆层依序形成于基板之上,该N-型氮化镓披覆层及P-型氮化镓披覆层另设置有接触电极,其主要特征在于:基底底面及四周侧边以具反光特性之材料成长一反光层。2.如申请专利范围第1项所述一种高亮度氮化镓发光二极体结构改良,其中该反光层适用于方形或长宽比较高之基底。3.如申请专利范围第1项所述一种高亮度氮化镓系列发光二极体结构改良,其中该基底侧边可成型为抛物线、锯齿形、斜镜形、杯形、弧形之造型者。4.如申请专利范围第1项所述一种高亮度氮化镓系列发光二极体结构改良,其中该反光层,可利用电子束蒸镀、溅镀及类似之方法,成长一适当厚度之金属披覆层。5.如申请专利范围第4项所述一种高亮度氮化镓系列发光二极体结构改良,其中该金属披覆层之材料为铝、银、铬、镍、钛、钯、铂及上述各元素之合金材料。6.一种高亮度氮化镓系列发光二极体结构改良,包含一透明导电基底如SiC,一发光元件形成于基底之上;该发光元件至少包含一N-型氮化镓披覆层、一活性发光层、一P-型氮化镓披覆层依序形成于基板之上,而N-型接触电极及P-型接触电极,分别对称置于晶粒上下,其主要特征在于:基底底面及四周侧边以具反光特性之材料成长一反光层。7.如申请专利范围第6项所述一种高亮度氮化镓发光二极体结构改良,其中该P-型氮化镓披覆层以具反光特性之材料成长一反光层。8.如申请专利范围第6项所述一种高亮度氮化镓发光二极体结构改良,其中该反光层适用于方形或长宽比较高之基底。9.如申请专利范围第6项所述一种高亮度氮化镓系列发光二极体结构改良,其中该基底侧边可成型为抛物线、锯齿形、斜镜形、杯形、弧形等造型者。10.如申请专利范围第6项所述一种高亮度氮化镓系列发光二极体结构改良,其中该反光层,系利用电子束蒸镀或溅镀及类似之方法,成长一适当厚度之金属披覆层。11.如申请专利范围第10项所述一种高亮度氮化镓系列发光二极体结构改良,其中该金属披覆层之材料为铝、银、铬、镍、钛、钯、铂及上述各元素之合金。图式简单说明:第1图:系发光二极体之主要结构剖视图。第2图:系习知之氮化镓系发光二极体结构剖视图。第3A图:系习知具手指型接触电极之氮化镓系发光二极体结构上视图。第3B图:系习知具透光导电层之氮化镓系发光二极体结构剖视图。第4图:系习知之具布拉格反射镜之氮化镓系发光二极体结构剖视图。第5图:系本创作之实施例结构剖面示意图。第6A-6E图:系其他基底之造型实施例剖面示意图。第7A图:系本创作实施于对称式接触电极之氮化镓系发光二极体晶片结构之实施例。第7B图:系本创作实施于对称式接触电极之氮化镓系发光二极体晶片结构之另一实施例。 |
