| 主权项 |
1.一种晶圆的形状评价方法,其特征为:以所定角度间隔从晶圆中心部直至(边)缘部为止求出遍及晶圆全周之复数的晶圆形状轮廓(形状),且设定要算出在各每一轮廓之基准线用的第1区域于晶圆中央侧,算出在该第1区域之基准线,再在该第1区域外之晶圆外周侧设定第2区域,并延长在该第1区域所算出之基准线直至该第2区域为止,以分析该第2区域形状(测定値)和在第2区域内的该基准线(基准値)之差(测定値-基准値),而算出该値之最大値表面特性A及最小値作为表面特性B,并从该等遍及全周所获得之复数的表面特性A及表面特性B来评价晶圆的外周部形状之均匀性。2.如申请专利范围第1项之晶圆的形状评价方法,其中由从晶圆外周部所获得之复数的表面特性A之最大値和最小値之差来评价晶圆的外周部形状均匀性。3.如申请专利范围第1项之晶圆的形状评价方法,其中由从晶圆外周部所获得之复数的表面特性B之最大値和最小値之差来评价晶圆的外周部形状均匀性。4.如申请专利范围第1项之晶圆的形状评价方法,其中分析从各轮廓所获得之表面特性A及表面特性B之差[表面特性(A-B)],而由从晶圆外周部所获得的复数之表面特性(A-B)之最大値和最小値的差来评价晶圆的外周部形状均匀性。5.如申请专利范围第1项之晶圆的形状评价方法,其中由从晶圆外周部所获得之复数的表面特性A,表面特性B,或该等之差[表面特性(A-B)]的标准偏差来评价晶圆之外周部形状均匀性。6.如申请专利范围第1项之晶圆的形状评价方法,其中前述晶圆形状轮廓系在晶圆面内以隔着所定间隔所测定之値,而是对于晶圆表面成垂直方向的移位或晶圆之厚度。7.如申请专利范围第6项之晶圆的形状评价方法,其中前述所定之测定间隔为1mm间隔以下。8.如申请专利范围第1项之晶圆的形状评价方法,其中用于求出晶圆形状轮廓之所定间隔角度为1间隔角度以内。9.如申请专利范围第6项之晶圆的形状评价方法,其中用于求出晶圆形状轮廓之所定间隔角度为1间隔角度以内。10.如申请专利范围第7项之晶圆的形状评价方法,其中用于求出晶圆形状轮廓之所定间隔角度为1间隔角度以内。11.一种晶圆,其特征为:由申请专利范围第1项至第10项中任一项所记载的形状评价方法来加以评价,且在晶圆面内所获得之复数的表面特性B之最大値和最小値的差(B参数之外周部均匀性)乃形成为600nm以下。12.一种晶圆,其特征为:由申请专利范围第1项至第10项中之任一项所记载的形状评价方法来加以评价,且在晶圆面内所获得之复数的表面特性(A-B)之最大値和最小値之差[(A-B)参数之外周部均匀性]乃形成为500nm以下。13.如申请专利范围第12项之晶圆,其中在晶圆面内获得之复数的表面特性(A-B)的最大値和最小値之差[(A-B)参数之外周部均匀性]乃在于400nm以下。14.一种晶圆的选别方法,其特征为:由申请专利范围第1项至第10项中之任一项所记载的形状评价方法来加以评价,而选别所获得之复数的表面特性B的最大値和最小値之差(B参数的外周部均匀性)为600nm以下之晶圆,其使用该晶圆于曝光装置。15.一种晶圆的选别方法,其特征为:由申请专利范围第1项至第10项中任一项所载的形状评价方法来加以评价,而选别所获得之复数的表面特性(A-B)之最大値和最小値的差[(A-B)参数之外周部均匀性]为500nm以下之晶圆,并使用该晶圆于曝光装置。16.一种晶圆的选别方法,其特征为:由申请专利范围第1项至第10项中之任一项所记载的形状评价方法来加以评价,而选别所获得之复数的表面特性(A-B)之最大値和最小値的差[(A-B)参数之外周部均匀性]为400nm以下之晶圆,并使用该晶圆于曝光装置。图式简单说明:图1系以模式显示在本发明之晶圆的形状评价方法之基准线和第1区域及第2区域的立体性关系之说明图。图2系显示在本发明之晶圆的形状评价方法之第1区域和第2区域的说明图。图3系显示在本发明之晶圆的形状评价方法之评价区域的一例子之说明图。图4系显示有关在实施例1之晶圆S1的晶圆外周部之测定位置和A、B参数値的关系之曲线图。图5系显示有关在实施例2之晶圆S2的晶圆外周部之测定位置和A、B参数値的关系之曲线图。图6系显示有关在实施例2之晶圆S3的晶圆外周部之测定位置和A、B参数値的关系之曲线图。图7系显示有关在实施例2之晶圆S4的晶圆外周部之测定位置和A、B参数値的关系之曲线图。图8系显示有关在比较例1之晶圆S5的晶圆外周部之测定位置和A、B参数値的关系之曲线图。图9系显示对于晶圆S1~S5的B参数之外周部均匀性的曲线图。图10系显示对于晶圆S1~S5的(A-B)参数之外周部均匀性的曲线图。图11系显示有关本发明之晶圆的形状评价方法之晶圆的形状评价装置之主要部分结构的一例子以侧面性概略显示的说明图。图12系显示有关本发明之晶圆的形状评价方法之晶圆的形状评价装置之主要部分结构的其他例子以侧面性概略显示的说明图。 |
