| 主权项 |
1.一种利用电子显微镜之接触窗成形方法,该方法至少包含以下步骤;提供一其上具有多个金氧半电晶体元件之晶圆;形成一介电层于该晶圆上;形成多个接触窗于该介电层中;利用一电子显微镜,对该形成出多个接触窗之晶圆进行扫描,以检查该等接触窗是否蚀刻完全;以及执行后续适当步骤。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在上述检查中,当该多个接触窗均呈现亮点则代表该接触窗蚀刻完全。3.如申请专利范围第1项之方法,其中在上述检查中,当该多个接触窗呈现出暗点或形状不规则之亮点则代表该接触窗蚀刻不完全。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之扫描式电子显微镜(SEM)图拍摄是以5K倍率进行。5.一种使用电子显微镜检测接触孔之方法,用以于形成半导体装置中之接触窗时,于蚀刻出介电层中之接触孔后,扫描各该接烛孔,再藉由各接触孔之色泽明暗程度,来检测各该接触孔是否有被蚀刻完全。6.如申请专利范围第5项之方法,当该多个接触窗均呈现亮点则代表该接触窗蚀刻完全。7.如申请专利范围第5项之方法,当该多个接触窗呈现出暗点或形状不规则之亮点则代表该接触窗蚀刻不完全。8.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之扫描式电子显微镜(SEM)图拍摄是以5K倍率进行。图式简单说明:第一图显示在半导体底材上形成接触窗之半导体晶圆截面视图;第二图显示在半导体底材上所形成之接触窗内仍含介电层存在;第三图显示在完成接触窗蚀刻后晶圆之扫描式电子显微镜(SEM)图;及第四图显示另一个在完成接触窗蚀刻后晶圆之扫描式电子显微镜(SEM)图。 |
