发明名称 用于与铁电体一同使用之改良材料
摘要 本发明揭示一种包含添加二氧化钛之锶-钌-氧化物衬层。添加二氧化钛之锶-钌-氧化物衬层增进铁电材料,例如锆钛酸铅,的可靠度,而不会影响或降低钛酸铅的铁电性质。在一实施例中,钛酸锶使用掺杂1至10重量%的二氧化钛之锶-钌-氧化物靶材溅镀。
申请公布号 TW558726 申请公布日期 2003.10.21
申请号 TW091119562 申请日期 2002.08.28
申请人 亿恒科技公司 发明人 雷纳 布鲁克豪斯
分类号 H01G4/08 主分类号 H01G4/08
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种形成铁电电容器的方法,包含:提供一基板,其具有一第一导电层形成于其上,第一导电层系用做电容器之一电极;沉积一第一非晶衬层于电极上;沉积一铁电层于第一非晶衬层上;沉积一第二非晶衬层于铁电层上;及沉积一第二导电层于衬层上,第二导电层系用做第二电极,其中衬层包含锶-钌-氧化物,锶-钌-氧化物添加约1至10重量%之二氧化钛,其中衬层改良铁电层之特性。2.如申请专利范围第1项之方法,其中铁电层包含锆钛酸铅。3.如申请专利范围第2项之方法,其中第一电极包含贵金属(noble metal)。4.如申请专利范围第3项之方法,其中第一电极包含铂。5.如申请专利范围第1项之方法,其中电极包含贵金属。6.如申请专利范围第5项之方法,其中电极包含铂。7.如申请专利范围第1,2,3,4,5或6项之方法,更包含退火制程以结晶化添加二氧化钛之锶-钌-氧化物层。8.如申请专利范围第7项之方法,其中退火制程包含以约650℃加热添加二氧化钛之锶-钌-氧化物层约30秒。9.如申请专利范围第8项之方法,更包含完成铁电记忆体积体电路之步骤。10.如申请专利范围第7项之方法,更包含完成铁电记忆体积体电路之步骤。11.一种形成一铁电电容器的方法,包含:沉积一第一非晶层于基板上;沉积一铁电层于第一非晶层上;沉积一第二非晶衬层于铁电层上;及沉积一第二导电层于第二非晶衬层上,第二导电层系用做第二电极,其中该衬层包含锶-钌-氧化物,锶-钌-氧化物添加1至10重量%之二氧化钛,其中该衬层改良铁电层之特性。图式简单说明:图1显示一种习知的铁电电容器;图2显示一种本发明之实施例的铁电电容器;图3显示一种本发明之实施例中用以沉积添加二氧化钛的锶-钌-氧化物层的系统;及图4显示一种在结晶退火后的钛酸锶层。
地址 德国