| 摘要 |
本发明提供可以低成本来制造出InGaAs基极CtopHBT之半导体装置的制造方法。其作法系采用离子半径小的氦，对含有未掺杂InGaAs间隙壁层、n型InP集极层、n型InGaAs上盖层、以及集极所构成的积层膜所未被覆到的p型InGaAs层(外部基极区域)，以垂直或偏离垂直面3度以内的角度，进行离子植入。藉而可维持外部基极区域的p型InGaAs之低电阻p型传导，况且，可使外部射极区域的n型InAlAs层具有高电阻，因之，未增加制程数即可缩小InGaAs基极CtopHBT的晶片尺寸，而收降低成本之效。 |
