| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 在根据本发明的半导体器件中，通过不同方法在半导体器件的基片上形成两种或多种隔离氧化膜(4)和(11)，从而对应于在同一半导体基片(1)上形成的器件类型(18)、(19)和(20)。另外，根据本发明的制造半导体器件方法包含：第一隔离氧化膜形成过程；及第二隔离氧化膜形成过程。其中第一过程中包含有形成第一掩膜层(10)及将其选择去除并选择氧化基片等步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1122312C | 申请公布日期 | 2003.09.24 |
| 申请号 | CN98102288.X | 申请日期 | 1998.06.19 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 白川巌 |
| 分类号 | H01L27/06;H01L21/76 | 主分类号 | H01L27/06 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1、半导体器件的制造方法，包含：第一隔离氧化膜形成过程；及第二隔离氧化膜形成过程；其特征在于所述第一隔离氧化膜形成过程包含如下步骤：在所述基片上形成第一掩膜层；选择地去除所述第一掩膜层，并部分地去除所述第一掩膜层已被去除的基片的表面区域；及通过选择氧化第一掩膜层已被去除的基片区域形成第一隔离氧化膜；及所述第二隔离氧化膜形成过程包含如下步骤：去除所述第一掩膜层；在所述基片上形成第二掩膜层；选择地去除所述第二掩膜层；及通过选择地氧化其中第二掩膜层已被去除的基片区域形成第二隔离氧化膜；在由所述第一隔离氧化膜已经分开的区域内形成逻辑器件，在由所述第二隔离氧化膜已经分开的区域内形成动态随机存取存储器器件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||