| 摘要 |
本发明之方法、材料与结构系用以制造积体电路之双镶嵌特征。在先蚀刻介层洞(via–first)之双镶嵌制造中，一底部抗反射涂层(BARC)107常沉积于介层洞与介层洞周围之场区域。接续以传统蚀刻化学品蚀刻沟渠，典型在介层洞底部导致BARC的独立区域107a，此独立区域由「栅栏」材料108所围绕。此栅栏降低阻障／黏着层之保形涂布，且缩减元件产率。本发明系关于BARC插塞107c的形成，其部分填充介层洞并在蚀刻沟渠前具有凸形上表面400。此BARC结构使得蚀刻时并无栅栏的形成且形成一乾净双镶嵌结构以用于接续涂布。BARC方向性、非等向性蚀刻，特定言之，一氨电浆蚀刻，系为移除BARC并形成欲求凸形上表面之有利方法。 |
