| 发明名称 | 在形成有导电结构的半导体基底表面形成双镶嵌结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在形成有导电结构的半导体基底表面形成双镶嵌结构的方法，该方法首先在半导体基底表面依序形成一沉积介电层、一旋涂介电层、以及具有一接触孔开口的硬罩幕；然后在上述硬罩幕上方形成具有一沟槽开口的光阻图案；接着利用上述硬罩幕为蚀刻罩幕，并且经由上述接触孔开口蚀刻上述旋涂介电层。其次利用上述光阻图案为蚀刻罩幕，并且经由上述沟槽开口蚀刻上述硬罩幕，以形成一包含上述接触孔开口与上述沟槽开口的镶嵌开口。之后经由上述镶嵌开口蚀刻上述旋涂介电层与上述沉积介电层直到露出上述导电结构为止，以形成一双镶嵌结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1442896A | 申请公布日期 | 2003.09.17 |
| 申请号 | CN02132281.3 | 申请日期 | 2002.09.04 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 李世达 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 1.一种在形成有导电结构的半导体基底表面形成双镶嵌结构的方法，其特征在于至少包括下列步骤：在上述半导体基底表面依序形成一沉积介电层、一旋涂介电层、以及具有一接触孔开口的硬罩幕；在上述硬罩幕上方形成具有一沟槽开口的光阻图案；利用上述硬罩幕为蚀刻罩幕，并且经由上述接触孔开口蚀刻上述旋涂介电层；利用上述光阻图案为蚀刻罩幕，并且经由上述沟槽开口蚀刻上述硬罩幕，以形成一包含上述接触孔开口与上述沟槽开口的镶嵌开口；以及经由上述镶嵌开口蚀刻上述旋涂介电层与上述沉积介电层直到露出上述导电结构为止，以形成一双镶嵌结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区 | ||