用于快闪记忆体类比储存器之自适应规划方法和装置

摘要

本发明之用于快闪记忆体类比储存器之自适应规划方法和装置中，其方法是每次以前一个脉波的结果为基础，调整规划脉波的电压，使用规划值的预期变化与量测之变化间的差异来改善每一个规划脉波之后的单元之模型，因为每一个脉波的电压被调适为单元需要的电压，所以这个演算法是”自适应的”，如果单元规划的太慢，电压会戏剧性地增加，使它变快，相反地，如果结果显示一个特别的单元规划太快，下一个电压脉波只会小量增加(或如果需要甚至减少)，因为单元的反应是非线性的，便需使用一特别的类比电路来计算每一脉波的最佳电压，也可以使用数位式的计算来替代规划这些单元，因为这个示范方法的规划速度，声音讯号可以一次一单元地取样并储存于快闪记忆体中，如果需要，也可以使用除了电压以外的可变规划参数。

主权项

1.一种规划(programming)类比储存记忆单元(analogstorage memory cell)之方法,用以依照储存于该单元(cell)之一类比电压(analog voltage)提供一单元读取电压(cellread voltage),包括:(a).选择引起储存于该单元之该类比电压之一参数;(b).模型化单元规划特性作为规划参数之回应;(c).使用还来不充分规划(under-program)该单元之模型中最少一値以应用规划参数至该单元;(d).决定该单元读取电压中之变化;(e).修正模型中之该値至更精确地反映真实的单元规划特性;以及(f).使用模型中之修正値,以再一次应用规划参数至该单元。2.如申请专利范围第1项所述之一种规划类比储存记忆单元之方法,更包括:重复(d)、(e)以及(f)至少一次。3.如申请专利范围第2项所述之一种规划类比储存记忆单元之方法,其中单元规划特性之模型化至少包括一相依于剩余要执行之单元规划量之一値。4.如申请专利范围第3项所述之一种规划类比储存记忆单元之方法,其中选来不充分规划该单元之模型中最少一値之一是相依于剩余要执行之单元规划量之该値。5.如申请专利范围第4项所述之一种规划类比储存记忆单元之方法,其中相依于剩余要执行之单元规划量之该値是一应用第一规划参数至该单元时仅反映剩余要执行之单元规划量之一分数之値,该分数在重复(d)、(e)以及(f)时会增加。6.一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,经由读取每一单元之类比电压,并接连地连结读取自该些单元之电压,以重建该音响讯号,包括:(a).选择引起储存于快闪记忆单元之类比电压之一参数;(b).模型化快闪记忆单元规划特性作为规划参数之回应;(c).周期性地取样该音响讯号,提供每一快闪记忆单元及储存于该单元之个别样本;(1).使用选来不充分规划该快闪记忆单元之模型中最少一値以应用规划参数至该快闪记忆单元;(2).决定该快闪记忆单元读取电压中之变化;(3).修正模型中之该値至更精确地反映真实的快闪记忆单元规划特性;以及(4).使用模型中之修正値,以再一次应用规划参数至该快闪记忆单元。7.如申请专利范围第6项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中每一快闪记忆单元于该音响讯号之接连样本期间内被个别规划。8.如申请专利范围第7项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,更包括:重复(2)、(3)以及(4)至少一次。9.如申请专利范围第8项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中快闪记忆单元规划特性之模型化至少包括一相依于剩余要执行之快闪记忆单元规划量之一値。10.如申请专利范围第9项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中选来不充分规划该快闪记忆单元之模型中最少一値之一是相依于剩余要执行之单元规划量之该値。11.如申请专利范围第10项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中相依于剩余要执行之单元规划量之该値是一应用第一规划参数至该快闪记忆单元时仅反映剩余要执行之快闪记忆单元规划量之一分数之値,该分数在重复(3)以及(4)时会增加。12.如申请专利范围第11项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中相依于剩余要执行之单元规划量之该値在最后一次重复(3)以及(4)时等于全値。13.一种规划类比储存记忆单元之方法,用以依照储存于该单元之类比电压提供一单元读取电压,包括:(a).模型化单元规划特性作为规划电压脉波之回应;(b).使用选来不充分规划该单元之规划电压脉波以应用规划电压脉波至该单元;(c).决定该单元读取电压中之变化;(d).修正模型中之値至更精确地反映真实的单元规划特性;以及(e).使用模型中之修正値,以再一次应用规划电压脉波至该单元。14.如申请专利范围第13项所述之一种规划类比储存记忆单元之方法,更包括:重复(c)、(d)以及(e)至少一次。15.如申请专利范围第14项所述之一种规划类比储存记忆单元之方法,其中单元规划特性之模型化至少包括一相依于剩余要执行之单元规划量之一値。16.如申请专利范围第15项所述之一种规划类比储存记忆单元之方法,其中选来不充分规划该单元之模型中至少一値之一是相依于剩余要执行之单元规划量之该値。17.如申请专利范围第16项所述之一种规划类比储存记忆单元之方法,其中相依于剩余要执行之单元规划量之该値是一应用第一规划电压脉波至该单元时仅反映剩余要执行之单元规划量之一分数之値,该分数在重复(c)、(d)以及(e)时会增加。18.一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,经由读取每一单元之类比电压,并接连地连结读取自该些单元之电压,以重建该音响讯号,包括:(a).模型化快闪记忆单元规划特性作为一规划电压脉波之回应;(b).周期性地取样该音响讯号,提供每一快闪记忆单元及储存于该单元之个别样本;(1).使用选来不充分规划该快闪记忆单元之模型中最少一値以应用该规划电压脉波至该快闪记忆单元;(2).决定该快闪记忆单元读取电压中之变化;(3).修正模型中之该値至更精确地反映真实的快闪记忆单元规划特性;以及(4).使用模型中之修正値,以再一次应用该规划电压脉波至该快闪记忆单元。19.如申请专利范围第18项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,更包括:重复(2)、(3)以及(4)至少一次。20.如申请专利范围第19项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中每一快闪记忆单元于该音响讯号之接连样本期间内被个别规划。21.如申请专利范围第20项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中快闪记忆单元规划特性之模型化至少包括一相依于剩余要执行之快闪记忆单元规划量之一値。22.如申请专利范围第21项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中选来不充分规划该快闪记忆单元之模型中最少一値之一是相依于剩余要执行之单元规划量之该値。23.如申请专利范围第22项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中相依于剩余要执行之单元规划量之该値是一应用第一规划电压脉波至该快闪记忆单元时仅反映剩余要执行之快闪记忆单元规划量之一分数之値,该分数在重复(2)、(3)以及(4)时会增加。24.如申请专利范围第23项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中相依于剩余要执行之单元规划量之该値在最后一次重复(3)以及(4)时等于全値。25.如申请专利范围第24项所述之一种储存音响讯号于多数快闪记忆单元之方法,其中每一快闪记忆单元于该音响讯号之接连样本期间内被个别规划。图式简单说明:第1图系本发明会使用之类比取样储存器系统的典型方块图。第2图系本发明积体电路实施例包括行驱动器以及含多工器之记忆阵列这一部份之方块图。第3图系标题为"八个脉波,每个10微秒"显示示范实施例之典型规划脉波序列之图示。第4图系标题为"自适应演算法"显示示范实施例如第3图所示之典型规划脉波序列之单元读取电压图示。第5图系标题为"读取错误电压相对于三个单元及三个目标电压的N号规划脉波"的图示。