发明名称 以乙烯基环己烷为底之单层膜
摘要 本发明系关于单层膜,其系含有以乙烯基环己烷为基础之聚合物或以乙烯基环己烷为基础之聚合物与至少一种极性聚合物的混合物。
申请公布号 TW546341 申请公布日期 2003.08.11
申请号 TW089126134 申请日期 2000.12.08
申请人 拜耳厂股份有限公司 发明人 莫德;魏佛;布佛瑞;唐康斯
分类号 C08L25/00 主分类号 C08L25/00
代理机构 代理人 蔡中曾 台北市大安区敦化南路一段二四五号八楼
主权项 1.一种单层膜,其系含有以乙烯基环己烷为基础之聚合物或以乙烯基环己烷为基础之聚合物与至少一种极性聚合物之混合物,其中该以乙烯基环己烷为基础之聚合物系具有式(Ⅰ)之重覆结构单元其中,R1及R2各自独立代表氢或C1-C6-烷基且R3及R4各自独立代表氢或C1-C6-烷基,或R3及R4一起代表烷基,R5代表氢或C1-C6-烷基,且其中系可将选自于烯烃、丙烯酸或异丁烯酸之C1-C8-烷基酯、不饱和环脂族烃、经取代的四环癸碳烯、环中经烷基化之苯乙烯、-甲基苯乙烯、二乙烯基苯、乙烯基酯、乙烯基酸、乙烯基醚、醋酸乙烯酯、乙烯基氰化物、顺式丁烯二酸酐中者及此等单体之混合物中的共单体加至聚合反应中,而藉聚合反应并入其中,及极性聚合物系选自聚醯胺、聚碳酸酯、聚烯烃、聚胺基甲酸酯及聚酯,及其以至多8重量%之量存在。2.如申请专利范围第1项之单层膜,其系具有至多7毫米之厚度。3.如申请专利范围第1项之单层膜,其系具有自0.001至2毫米之厚度。4.如申请专利范围第1项之单层膜,其中以乙烯基环己烷为基础之聚合物系为均聚物、共聚物或嵌段共聚物。5.如申请专利范围第1项之单层膜,其系含有嵌段共聚物,该聚合物具有包含至少一种硬质嵌段及至少一种软质嵌段的至少三种嵌段,其中硬质嵌段含有至少50重量%之式(Ⅱ)重覆结构单元其中,R1及R2各自独立代表氢或C1-C6-烷基,R3代表氢或C1-C6-烷基或经增环的烷基,p代表整数0,1至5且软质嵌段含有100至50重量%以直链或分支的C2-C14-烷基为基础之重覆单元及0至50重量%重覆单元对应至式(Ⅱ)。6.如申请专利范围第1项之单层膜,其中层内另外地含有习用之添加剂。7.如申请专利范围第6项之单层膜,系含有至少一种选自于抗阻断剂、热稳定剂或氧化稳定剂、抗静电剂、生物稳定剂、着色剂、润滑剂、光保护剂、光学亮光剂、改良印刷性能用之添加剂中之添加剂。8.如申请专利范围第1项之单层膜,其系用于发泡包装(blister packaging)、电子物件或食品包装及作为电容器薄膜上。
地址 德国