发明名称 | 氟化钙晶体的制造方法及原料处理方法 | ||
摘要 | 本发明提供了以高效率获得高纯度氟化钙单晶的、氟化钙粉末原料处理方法。通过预先加热处理使粉末粒子表面吸附的杂质气体脱离,可以得到高纯度的粉末,另外,还可以防止单晶制造装置或前处理装置的污染,同时提高生产率。 | ||
申请公布号 | CN1116231C | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
申请号 | CN98123370.8 | 申请日期 | 1998.12.01 |
申请人 | 株式会社尼康 | 发明人 | 水垣勉;木村和生;高野修一 |
分类号 | C01F11/22 | 主分类号 | C01F11/22 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨丽琴 |
主权项 | 1.氟化钙晶体的制造方法,其特征是,该方法包括下列工序:加热氟化钙粉末原料与清除剂的混合物使氟化钙粉末原料表面的吸附气体脱离的脱气处理工序;在坩埚内熔化经过上述经脱气处理的原料,得到前处理品的前处理工序;以及将上述前处理品在坩埚内再次熔化,生长出氟化钙晶体的晶体生长工序。 | ||
地址 | 日本东京都 |