半导体元件之金属线之后处理方法

摘要

本发明系提供藉由将氧化铝膜使用为金属配线之保护层，可以增进金属配线之信赖度之半导体元件之金属配线之后处理方法。于基板上之任何类型所形成之金属配线之后处理方法上，完成蒸镀步骤，在上述金属配线所形成的全部基板上既定形成厚度之铝之过程，及依据在既定之步骤条件下完成电浆处理，将上述之铝用氧化铝膜，使其变化并形成下部阻障层之过程，以及完成蒸镀步骤，于上述下部阻障层之整面上部在形成层间绝缘体过程所形成的半导体元件用金属配线之后处理方法。为达成上述目的之藉由其他型态之本发明，系对基板上已形成任意图案的金属配线施行后处理之方法，提供进行蒸镀步骤，并于上述金属配线所形成之基板整面形成既定厚度之氧化铝膜之下部阻障层之步骤，以及进行蒸镀步骤，在上述下部阻障层上面整面，形成层间绝缘层之步骤过程的半导体元件用金属配线之后处理方法。

主权项

1.一种半导体元件之金属配线之后处理方法,系对已在基板上形成任意图案的金属配线施行后处理的方法,包含有:施行蒸镀步骤而在已形成上述金属配线的基板整面上,形成既定厚度之铝的步骤;在既定步骤条件下施行电浆处理,而将上述铝形成构成下部阻障层的氧化铝膜之步骤;以及施行蒸镀步骤而在上述下部阻障层上面整面上,形成层间绝缘层的步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体元件之金属配线之后处理方法,其中上述铝的厚度为80至150的范围。3.如申请专利范围第1项之半导体元件之金属配线之后处理方法,其中上述电浆处理系使用O2或是N2O。4.一种半导体元件之金属配线之后处理方法,系系对已在基板上形成任意图案的金属配线施行后处理的方法,包含有:施行蒸镀步骤而在已形成上述金属配线的基板整面上,形成由既定厚度之氧化铝膜所构成下部阻障层的步骤;施行电浆处理而在上述下部阻障层上面整面上,形成层间绝缘层的步骤。图式简单说明:第1A图至第1C图系利用习知方法,进行金属配线之后处理步骤过程之步骤顺序图。第2A图至第2C图系本发明之金属配线之后处理,于金属配线形成于晶圆上所进行后续步骤过程之步骤顺序图。