| 主权项 |
1.一种用以制造薄膜电晶体面板之方法,其包含下列步骤:形成一闸线路于一绝缘基板上,该闸线路具有与其连接之闸电极;沈积一闸绝缘层覆盖于该闸线路上;形成一半导体层于该闸绝缘层上,该半导体层包含一不纯物掺杂层;图案化该半导体层;形成一导电图案层于该图案化之半导体层上,该导电图案层具有一源极、一汲极以及一通道区设于该源极与汲极之间,其中该不纯物掺杂层具有一部份位于该通道区并从该导电图案层裸露出来;以及使该不纯物掺杂层之裸露部份绝缘。2.依申请专利范围第1项之用以制造薄膜电晶体面板之方法,其中该绝缘步骤系以一氧化制程达成。3.依申请专利范围第2项之用以制造薄膜电晶体面板之方法,其中该氧化制程系由一紫外光照射处理(UVradiation treatment)达成。4.依申请专利范围第2项之用以制造薄膜电晶体面板之方法,其中该氧化制程系由一气态电浆处理(atmosphere plasma treatment)达成。5.依申请专利范围第2项之用以制造薄膜电晶体面板之方法,其中该氧化制程系由一氧气灰化处理(O2 ashing treatment)达成。6.依申请专利范围第2项之用以制造薄膜电晶体面板之方法,其中该氧化制程系由一臭氧处理(O3 treatment)达成。7.依申请专利范围第1项之用以制造薄膜电晶体面板之方法,其中该绝缘步骤系以一氮化制程达成。8.依申请专利范围第1项之用以制造薄膜电晶体面板之方法,其中该不纯物掺杂层系为一n+非晶矽层。9.依申请专利范围第8项之用以制造薄膜电晶体面板之方法,其中该绝缘步骤系以一p+不纯物掺杂制程达成。图式简单说明:第1图:系为一习用薄膜电晶体之剖示图;以及第2a图至第2e图:系根据本发明一实施例以剖示图图示制造一薄膜电晶体面板的主要步骤。 |
