| 主权项 |
1.一种抗光阻去除液侵蚀之氧化膜形成方法,包括以下步骤:提供一基底,上述基底具有一复晶矽层;沉积一具有-O-N成分的氧化膜于上述复晶矽层上;以及在含氮元素气体下,回火处理上述具有-O-N成分的氧化膜,以于上述具有-O-N成分的氧化膜之表面形成一表层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述基底为矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述具有-O-N成分的氧化膜系以化学气相沉积法形成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述含氮元素气体包括N2.NH3及N2O气体。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述回火处理之温度及时间分别为650℃及30~60分钟。6.一种形成半导体装置之方法,适用于一基底,上述基底具有闸极,包括以下步骤:沉积一具有-O-N成分的氧化膜于上述基底上;在含氮元素气体下,热回火处理上述具有-O-N成分的氧化膜表层,以于上述具有-O-N成分的氧化膜之表面形成一表层;形成一光阻层图案于上述具有-O-N成分的氧化膜上;蚀刻上述具有-O-N成分的氧化膜定义出补偿侧壁绝缘物于上述闸极表面;以及使用光阻去除液,移除上述光阻图案。7.如申请专利范围第6项所述之方法,在移除上述光阻图案之后,更包括以下步骤:离子植入于上述基底中,形成源极/汲极延伸区域;形成一侧壁绝缘物于上述闸极两侧之上述补偿侧壁绝缘物上;以及离子植入于上述基底中,形成源极/汲极区域。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述基底为矽基底。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述闸极包括复晶矽层及闸氧化层。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述具有-O-N成分的氧化膜系以化学气相沉积法形成。11.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述含氮元素气体包括N2.NH3及N2O气体。12.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述离子植入系包括磷、砷、硼离子。13.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述回火处理之温度及时间分别为650℃及30~60分钟。图式简单说明:第1~5图为本发明之实施例中抗光阻去除液侵蚀之氧化膜形成方法之示意图。 |
