发明名称 |
一种等离子化学气相沉积镀膜方法和设备 |
摘要 |
本发明等离子化学气相沉积镀膜方法和设备包括:传统的可抽成真空的炉体;将汽化的、含有金属氯化物的和其它工作气体通入所述真空炉体内的装置;放置在真空炉体中的被镀工件与电极阴极相连,将炉体与阳极相连,阳极接地,阴极施加负电压,将电压升高到一定程度后,阴、阳级之间产生辉光等离子场;在所述炉内设置一个能喷出等离子炬的电弧喷枪,电弧喷枪喷出的等离子炬直接进入到辉光等离子场中。 |
申请公布号 |
CN1112463C |
申请公布日期 |
2003.06.25 |
申请号 |
CN00128293.X |
申请日期 |
2000.12.15 |
申请人 |
北京航空航天大学 |
发明人 |
陶冶 |
分类号 |
C23C16/50;C23C16/503;C23C16/513 |
主分类号 |
C23C16/50 |
代理机构 |
北京市法苑专利事务所 |
代理人 |
陈俊由 |
主权项 |
1、一种等离子化学气相沉积镀膜方法,包括:一个传统的可抽成真空的炉体;传统的将汽化的、含有金属氯化物的和其它工作气体通入所述真空炉体内的装置;使放置在真空炉体中的被镀工件与电极阴极相连,将炉体与阳极相连,阳极接地,阴极施加负电压,将电压升高到一定程度后,阴、阳级之间产生辉光等离子场;其特征在于:在真空炉处于常温状况下,使通入炉内的所述气体通过一个设置在真空炉内的、可喷出等离子炬的电弧喷枪,所述喷枪形成一个电弧等离子场,由电弧产生的能量迫使通过的气体分子电离,电弧喷枪喷出的等离子炬直接进入所述辉光等离子场;经电弧等离子场离化出的离子及在所述辉光等离子场中经二次离化后离化出的离子发生化学反应并在电场力作用下沉积在被镀工件表面。 |
地址 |
100083北京市海淀区学院路37号 |