发明名称 | 能在外部监视内部电压的半导体集成电路装置 | ||
摘要 | 一种半导体集成电路装置,不增加消耗电流及焊区数,就能准确且容易地进行对所希望的内部电压的测试。接收来自基准电压发生电路(RFG)的基准电压(Vref)的驱动电路(2)具有高输入阻抗、低输出阻抗,发生实际上与所接收的基准电压电平相同的电压,具有比基准电压发生电路的电流驱动力大的电流驱动力,将生成的电压传递给焊区(1)。 | ||
申请公布号 | CN1111868C | 申请公布日期 | 2003.06.18 |
申请号 | CN98106240.7 | 申请日期 | 1998.04.09 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 山崎恭治;伊藤孝 |
分类号 | G11C29/00 | 主分类号 | G11C29/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
主权项 | 1.一种半导体集成电路装置,包括:至少一个发生规定的电压电平的基准电压的基准电压发生装置;对与来自上述至少一个基准电压发生装置的基准电压对应的电压和内部电压线上的电压进行比较,根据该比较结果,调整内部电压线上的电压电平的内部电压发生装置;其特征在于:焊区;以及设在上述至少一个基准电压发生装置的输出端和焊区之间,接收上述至少一个基准电压发生装置输出的基准电压,发生与上述基准电压实际上电压电平相同的电压,并传递给上述焊区的驱动装置。 | ||
地址 | 日本东京都 |