以氮化物为基础的半导体发光器件及其制造方法

摘要

一种以氮化物为基础的半导体发光器件包括：具有第一和第二个主要表面的一个导电的半导体基片；在第一个主要表面上形成的高电阻率或绝缘的中间层；在中间层上形成的多个Al_xB_yIn_zGa_{1－x－y－z}N(0＜x≤1，0≤y＜1，0≤z≤1，x+y+z＝1)的氮化物半导体层；所述多个氮化物半导体层包括依次堆积在所述中间层上的至少一个第一种导电型的层，一个发光层和至少一个第二种导电型的层；穿过中间层或围绕中间层迂回的，用以将和中间层接触的第一种导电型的层与导电基片连接的金属薄膜；在第二种导电型层上形成的第一个电极；和在第二个主要表面上形成的第二个电极。利用金属薄膜可避免在中间层中的电压降，使工作电压降低。

主权项

1.一种以氮化物为基础的半导体发光器件，它包括：具有第一和第二个主要表面的一个导电的半导体基片；在所述基片的第一个主要表面上形成的高电阻率或绝缘的中间层；在所述中间层上形成的多个AlxByInzGa1-x-y-zN(0＜x≤1，0≤y＜1，0≤z≤1，x+y+z＝1)的氮化物半导体层；所述多个氮化物半导体层包括依次堆积在所述中间层上的至少一个第一种导电型的层，一个发光层和至少一个第二种导电型的层；穿过所述中间层或围绕所述中间层迂回的，用以将和所述中间层接触的所述第一种导电型的层与所述导电基片连接的金属薄膜；在所述第二种导电型层上形成的第一个电极；和在所述基片的第二个主要表面上形成的第二个电极；其中，利用所述金属薄膜避免在所述中间层中的电压降，以降低工作电压。