偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法

摘要

一种偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法,包括如下步骤:1)利用等离子体化学气相沉积技术在铟磷衬底上生长介质膜；2)利用普通的光刻腐蚀技术刻出半导体光学放大器所需的掩膜图形；3)采用窄条宽选择生长金属有机化学气相沉积技术,在光刻后的铟磷衬底上依次生长n型铟磷缓冲层、铟镓砷磷有源层以及p型铟磷盖层；4)利用腐蚀液去掉介质膜；5)二次外延p型铟磷盖层和掺锌的铟镓砷接触层；6)光刻腐蚀出器件条形结构；7)三次外延铟磷窗口区；8)光刻腐蚀出器件条形结构；9)利用化学气相沉积生长二氧化硅绝缘层,10)开二氧化硅窗口；11)作电极；12)解理,在器件的两个端面上镀介质光学膜。

主权项

1、一种偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)利用等离子体化学气相沉积技术在铟磷衬底上生长介质膜；2)利用普通的光刻腐蚀技术刻出半导体光学放大器所需的掩膜图形；3)采用窄条宽选择生长金属有机化学气相沉积技术，在光刻后的铟磷衬底上依次生长n型铟磷缓冲层、铟镓砷磷有源层以及p型铟磷盖层；4)利用腐蚀液去掉介质膜；5)二次外延p型铟磷盖层和掺锌的铟镓砷接触层；6)光刻腐蚀出器件条形结构；7)三次外延铟磷窗口区；8)光刻腐蚀出器件条形结构；9)利用化学气相沉积生长二氧化硅绝缘层；10)开二氧化硅窗口；11)作电极；12)解理，在器件的两个端面上镀介质光学膜。