| 主权项 |
1.一种半导体制造之缺陷自动控制方法,主要包括下列步骤:(A)对一批次晶圆进行抽样,选取出至少一抽样晶圆;(B)以一量测机台以检测每一抽样晶圆之物理性质,俾以至少侦测出该抽样晶圆所具有之缺陷之分布位置、数量、尺寸、及讯号强弱;(C)该量测机台比对该抽样晶圆与一正常晶圆之讯号差异,并根据该讯号差异以初步分类该抽样晶圆,且对该抽样晶圆绘制一缺陷地图,其中该缺陷地图系包括有该抽样晶圆之缺陷之分布位置;(D)以一缺陷管理系统分析经该初步分类之缺陷地图,俾以检测出具有缺陷之晶圆;(E)以该缺陷管理系统将该缺陷地图一一与复数个特定图像进行图形辨识,其中,该等特定图像系储存于该缺陷管理系统中,每一特定图像系为一晶圆之缺陷类型,且每一缺陷类型系至少对应有相关之制造人员、机台、及模组之资讯;(F)找出与该缺陷地图相符之特定图像,根据该特定图像以确定该抽样晶圆之缺陷类型及相关之制造人员、机台、及模组;以及(G)该缺陷管理系统根据该抽样晶圆之缺陷类型,发送讯息至相关之制造人员之帐号,俾利该制造人员针对该抽样晶圆之缺陷以调整机台及模组。2.如申请专利范围第1项所述之半导体制造之缺陷自动控制方法,其中,该抽样晶圆系为一图样晶圆。3.如申请专利范围第2项所述之半导体制造之缺陷自动控制方法,其中,于步骤(D)之后,若根据该缺陷地图而得知该抽样晶圆无法通过检测,则尚于该缺陷管理系统进行括下列步骤:(H)使用一光学显微镜及一扫描式电子显微镜检视该抽样晶圆,并对该抽样晶圆进行细部缺陷分类;以及(I)若根据该细部缺陷分类之结果而得知该抽样晶圆无法通过检测,则该缺陷管理系统发送讯息至分析人员之帐号,要求该等分析人员分析该抽样晶圆之缺陷原因。4.如申请专利范围第2项所述之半导体制造之缺陷自动控制方法,其中,于步骤(B)中,该量测机台系用以进行亮场缺陷检测,以侦测出该等抽样晶圆之实体缺陷之分布位置、数量、尺寸、及讯号强弱。5.如申请专利范围第2项所述之半导体制造之缺陷自动控制方法,其中,于步骤(B)中,该量测机台系用以进行暗场缺陷检测,以侦测出该等抽样晶圆表面之微粒之分布位置、数量、尺寸、及讯号强弱。6.如申请专利范围第2项所述之半导体制造之缺陷自动控制方法,其中,于步骤(B)中,该量测机台系用以进行电子束缺陷检测,以侦测出该等抽样晶圆所具有之缺陷之分布位置、数量、尺寸、及讯号强弱。7.如申请专利范围第2项所述之半导体制造之缺陷自动控制方法,其中,于步骤(G)中,该缺陷管理系统系发送讯息至相关之制造人员之电子邮件帐号。8.如申请专利范围第3项所述之半导体制造之缺陷自动控制方法,其中,于步骤(I)中,该缺陷管理系统系发送讯息至相关之制造人员之电子邮件帐号。9.如申请专利范围第2项所述之半导体制造之缺陷自动控制方法,其中,该缺陷管理系统尚连结有一自动化控制系统,用以将该量测机台所比对出之讯号差异之结果及该缺陷地图转化为符合该缺陷管理系统之档案格式。10.如申请专利范围第3项所述之半导体制造之缺陷自动控制方法,其中,该缺陷管理系统尚连结有一自动化控制系统,用以将该缺陷管理系统之档案格式转化为符合该光学显微镜及该扫描式电子显微镜之档案格式。图式简单说明:第1图:系习知缺陷规格控制方法之流程图。第2A图及第2B图:系依据本发明半导体制造之缺陷自动控制方法之流程图。第3图:系依据本发明之系统架构图。 |
