| 主权项 |
1.一种萤光体薄膜,其母体材料为硷土类硫化物,并含有发光中心之萤光体薄膜,其特征为:此萤光体薄膜之膜厚在50nm-300nm范围。2.如申请专利范围第1项所记载之萤光体薄膜,其中前记发光中心,至少必须含有铕(Eu)。3.如申请专利范围第1项所记载之萤光体薄膜,其中前记硷土类硫化物至少含有CaS。4.如申请专利范围第1项所记载之萤光体薄膜,其中前记萤光体薄膜与ZnS薄膜互成叠层。5.如申请专利范围第1项所记载之萤光体薄膜,其中前记萤光体薄膜与ZnS薄膜,系以ZnS薄膜/萤光体薄膜/ZnS薄膜方式,由ZnS薄膜夹萤光体薄膜方式之叠层,或以ZnS薄膜与萤光体薄膜形成交互叠层而两最外层为ZnS薄膜之复数层叠层。6.一种电激发光面板,其特征系具有其母体材料为硷土类硫化物,并含有发光中心之萤光体薄膜,此萤光体薄膜之膜厚为50nm-300nm范围之萤光体薄膜。7.如申请专利范围第6项之电激发光面板,其中,至少具有基板,和形成于基板上之电极、和形成于此电极上之厚膜介电质层,于此厚膜介电质层上,具有前述萤光体薄膜。图式简单说明:【第1图】可适用本发明装置或本发明制造装置之构成例剖面略图。【第2图】本发明之方法、装置所能制造之无机电激发光元件之构成例局部立体图。【第3图】实施例1电激发光元件(电激发光面板)之发光光谱图表。【第4图】实施例2电激发光元件(电激发光面板)之硫化钙薄膜膜厚:发光亮度特性图表。【第5图】实施例3电激发光元件(电激发光面板)之硫化钙薄膜膜厚:铕浓度之发光亮度特性图表。 |
