| 主权项 |
1.一种在铜金属上形成保护层的方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其上具有一铜金属构件;(b)以氨气电浆对该铜金属构件施行还原程序;(c)在该铜金属构件露出的表面上形成一矽化铜层;以及(d)在该矽化铜层上沈积一包含氮化矽之护层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该铜金属构件为铜金属栓塞。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该铜金属构件为铜金属内连线。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)系在步骤(d)的化学气相沈积反应室中同步(in-situ)进行。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中步骤(c)系在无电浆环境下进行,步骤(d)系在电浆环境下进行。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中步骤(c)系在无电浆环境下,以矽烷、二矽烷、二氯矽烷、或四乙氧基矽烷为反应气体形成矽化铜。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中步骤(c)反应气体的流量为5-250sccm,反应温度为300-350℃。8.如申请专利范围第4项所述之方法,其中步骤(b)与步骤(c)皆在步骤(d)的化学气相沈积反应室中同步(in-situ)进行。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该矽化铜为Cu5Si。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该矽化铜的厚度为10-300埃。11.一种在铜金属上形成保护层的方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其上具有一铜金属构件;(b)将该基底置于一化学气相沈积反应室中;(c)于该反应室中以氨气电浆对该铜金属构件施行还原程序;(d)于该反应室中通入矽烷、二矽烷、二氯矽烷、或四乙氧基矽烷为反应气体,以在该铜金属构件露出的表面上反应形成一矽化铜层;以及(e)于该反应室中以氨气与矽烷之电浆在该矽化铜层上沈积一氮化矽层。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该铜金属构件为铜金属栓塞。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该铜金属构件为铜金属内连线。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中步骤(d)反应气体的流量为5-250sccm,反应温度为300-350℃。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该矽化铜为Cu5Si。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该矽化铜的厚度为10-300埃。图式简单说明:第1-4图为一系列剖面图,用以说明本发明一较佳实施例的铜制程。 |
