| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein integriertes Halbleiterbauelement für Hochfrequenzmessungen und dessen Verwendung. Es ist vorgesehen, dass das Halbleiterbauelement Bestandteil einer Halbleiterschaltung (10) aus einer ersten Siliziumschicht (12), einer sich anschliessenden Siliziumdioxidschicht (Isolierschicht (14)) und einer nachfolgenden weiteren Siliziumschicht (Strukturschicht (16)) ist (SOI-Wafer), und das Halbleiterbauelement aus einem Impatt-Oszillator (30) mit einem Resonator (24), der einen in der Strukturschicht (16) angeordneten metallisierten Zylinder (18) aus Silizium, eine den Zylinder (18) im Bereich der ersten Schicht (12) überdeckende Ankopplungsscheibe (28) und eine über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinder (18) des Resonators (24) in Verbindung stehende Impatt-Diode (32) umfasst, sowie einem Referenz-Oszillator (46) niedrigerer Frequenz mit einem Resonator (24), der einen in der Strukturschicht (16) angeordneten metallischen Zylinder (18) aus Silizium und den Zylinder im Bereich der ersten Schicht (12) überdeckende Ankopplungsscheibe (28) und einem über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinger (18) des Resonators (24) in Verbindung stehenden Mikrowellenleiter umfasst, wobei der Referenz-Oszillator über eine aktive Oszillatorschaltung (58) einer Frequenzstabilisierung des Impatt-Oszillators (30) dient, einem Empfangsmischer mit integrierten Schotty-Dioden und einer Sende- und Empfangsantenne besteht.</p> |
