发明名称 Photocathode and electron tube
摘要 This photocathode comprises: InP substrate 1; InAsx2P1-x2(0<x2<1) buffer layer 2; Inx1Ga1-x1As (1>x1>0.53) light-absorbing layer 3; InAsx3P1-x3 (0<x3<1) electron-emitting layer 4; InAsx3P1-x3 contact layer 5 formed on the electron-emitting layer 4; active layer 8 of an alkali metal or its oxide or fluoride formed on the exposed surface of electron-emitting layer 4; and electrodes 6 and 7.
申请公布号 US6563264(B2) 申请公布日期 2003.05.13
申请号 US20010842831 申请日期 2001.04.27
申请人 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. 发明人 NIIGAKI MINORU;HIROHATA TORU;MOCHIZUKI TOMOKO;KAN HIROFUMI
分类号 H01J1/34;(IPC1-7):H01J40/18 主分类号 H01J1/34
代理机构 代理人
主权项
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