| 主权项 |
1.一种改善线形图案末端的轮廓之方法,包括下列步骤:提供一待蚀刻层;于该待蚀刻层上形成一硬罩幕层,该硬罩幕层系由无机物所组成;于该硬罩幕层上形成一光阻层;定义该光阻层的图案,使该光阻层具有一线形图案;进行非等向性蚀刻,以将该光阻层的该线形图案转移至该硬罩幕层中;等向性蚀刻该硬罩幕层和该光阻层,使该硬罩幕层和该光阻层中的该线形图案的尺寸缩小,且该线形图案侧边和末端缩小的比例介于1:1和1:6之间;以及将该硬罩幕层中已缩小尺寸的该线形图案转移至该待蚀刻层中。2.如申请专利范围第1项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中在进行非等向性蚀刻之前,该光阻层之该线形图案侧边的轮廓呈垂直,该线形图案末端的轮廓呈倾斜。3.如申请专利范围第1项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中该待蚀刻层的材质系择自由复晶矽和矽所组成的族群中。4.如申请专利范围第3项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中该硬罩幕层的材质系择自由氮氧化矽(SiON)和氮化矽(SiN)所组成的族群中5.如申请专利范围第4项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中在等向性蚀刻该硬罩幕层和该光阻层,使该硬罩幕层和该光阻层中的该线形图案侧边和末端缩小的比例介于1:1和1:6之间的步骤中,该等向性蚀刻系为湿蚀刻,该湿蚀刻的蚀刻液含有磷酸。6.如申请专利范围第4项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中在等向性蚀刻该硬罩幕层和该光阻层,使该硬罩幕层和该光阻层中的该线形图案侧边和末端缩小的比例介于1:1和1:6之间的步骤中,该等向性蚀刻系为电浆蚀刻,所使用的制程气体为碳氟气体化合物(CxFy)、碳氟气体化合物(CxFy)/含氢气体、和碳氟气体化合物(CxFy)/惰性气体三者择一。7.如申请专利范围第6项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中该碳氟气体化合物(CxFy)系择自由CF4和C2F6所组成的族群中,含氢气体系择自由CHF3.CH2F2和CH3F所组成的族群中,惰性气体系择自由Ar和He所组成的族群中。8.如申请专利范围第4项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中在等向性蚀刻该硬罩幕层和该光阻层,使该硬罩幕层和该光阻层中的该线形图案侧边和末端缩小的比例介于1:1和1:6之间的步骤中,该等向性蚀刻系为电浆蚀刻,所使用的制程气体为碳氟气体化合物(CxFy)/含氧气体、碳氟气体化合物(CxFy)/含氢气体/含氧气体、和碳氟气体化合物(CxFy)/惰性气体/含氧气体三者择一。9.如申请专利范围第8项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中该碳氟气体化合物(CxFy)系择自由CF4和C2F6所组成的族群中,含氢气体系择自由CHF3.CH2F2和CH3F所组成的族群中、含氧气体系为O2,惰性气体系择自由Ar和He所组成的族群中。10.如申请专利范围第3项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中该硬罩幕层的材质为氧化矽。11.如申请专利范围第10项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中在等向性蚀刻该硬罩幕层和该光阻层,使该硬罩幕层和该光阻层中的该线形图案侧边和末端缩小的比例介于1:1和1:6之间的步骤中,该等向性蚀刻系为湿蚀刻,该湿蚀刻的蚀刻液为稀释的氢氟酸。12.如申请专利范围第10项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中在等向性蚀刻该硬罩幕层和该光阻层,使该硬罩幕层和该光阻层中的该线形图案侧边和末端缩小的比例介于1:1和1:6之间的步骤中,该等向性蚀刻系为电浆蚀刻,所使用的制程气体为碳氟气体化合物(CxFy)、碳氟气体化合物(CxFy)/含氢气体、和碳氟气体化合物(CxFy)/惰性气体三者择一。13.如申请专利范围第12项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中该碳氟气体化合物(CxFy)系择自由CF4和C2F6所组成的族群中,含氢气体系择自由CHF3.CH2F2和CH3F所组成的族群中,惰性气体系择自由Ar和He所组成的族群中。14.如申请专利范围第10项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中在等向性蚀刻该硬罩幕层和该光阻层,使该硬罩幕层和该光阻层中的该线形图案侧边和末端缩小的比例介于1:1和1:2之间的步骤中,该等向性蚀刻系为电浆蚀刻,所使用的制程气体为碳氟气体化合物(CxFy)/含氧气体、碳氟气体化合物(CxFy)/含氢气体/含氧气体、和碳氟气体化合物(CxFy)/惰性气体/含氧气体三者择一。15.如申请专利范围第14项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中该碳氟气体化合物(CxFy)系择自由CF4和C2F6所组成的族群中,含氢气体系择自由CHF3.CH2F2和CH3F所组成的族群中、含氧气体系为O2,惰性气体系择自由Ar和He所组成的族群中。16.如申请专利范围第1项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中在将该硬罩幕层已缩小尺寸的该线形图案转移至该待蚀刻层中之前,更包括移除该光阻层。17.如申请专利范围第1项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,更包括在该硬罩幕层和该光阻层之间形成一底部抗反射层,该底部抗反射层的组成系择自由有机物和无机物所组成的族群中。18.如申请专利范围第17项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中在将该硬罩幕层已缩小尺寸的该线形图案转移至该待蚀刻层中之前,更包括移除该光阻层和该底部抗反射层。19.如申请专利范围第1项所述之改善线形图案末端的轮廓之方法,其中该光阻层的形成厚度为1000埃。图式简单说明:第1A~1C图、第2A~2C图以及第3A~3C图系表示根据本发明一实施例之改善线形图案末端的轮廓之方法。其中第1B图、第2B图和第3B图系分别为第1A图、第2A图和第3A图的B-B'剖面图,第1C图、第2C图和第3C图系分别为第1A图、第2A图和第3A图的C-C'剖面图。 |
