碳化硅质窑炉用具及其制造方法

摘要

本发明描述具有下述特征的SiC质窑炉用具：向最大粒径为4mm的SiC粉末中添加0.01～0.7％的V₂O₅、0.01～0.7％的CaO和0.01～5％的粘土，成型煅烧成SiC质窑炉用具；将该窑炉用具的表层和中心部分分别用粉末X射线衍射法用CuKα线测定，求得2θ为21.9°的方英石衍射峰高相对2θ为34.0°的碳化硅衍射峰高之比时，中心部分的上述比值相对于表层部分的上述比值的比例为20％以上；常温时的抗弯强度是在1400℃时的抗弯强度±20％的范围内。

主权项

1.由主要含SiC材料制成的窑炉用具，其特征是：向最大粒径为4mm以下的SiC粉末中，添加相对于该SiC量的0.01～0.7重量％的V2O5、0.01～0.7重量％的CaO和0.01-5重量％的粘土，将得到的粉状物成型后煅烧成SiC质窑炉用具；将该主SiC质窑炉用具的表层部分和中心部分，分别用粉末X射线衍射法使用CuKα线进行测定，求得2θ为21.9°的方英石衍射峰高度相对于2θ为34.0°的碳化硅衍射峰高度之比时，中心部分的上述比值相对于表层部分的上述比值的比例为20％以上；常温时的抗弯强度是在1400℃时抗弯强度±20％的范围内。