| 发明名称 | 抗静电电路的薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种抗静电电路的薄膜晶体管包括：形成于硅衬底上的阱；形成于阱内、用于电极间的电隔离的绝缘层；及分别位于绝缘层间的各低浓度杂质扩散区；形成于一个低浓度杂质扩散区中的第一高浓度杂质扩散区；形成于另一低浓度杂质扩散区中的第二高浓度杂质扩散区；形成于绝缘层和低浓度杂质扩散层上的层间绝缘层；及形成于低浓度杂质扩散区和层间绝缘层上的金属栅极。上述第一高浓度杂质扩散区和第二高浓度杂质扩散区中至少一个从有源区的外边缘向内与有源区重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN1106044C | 申请公布日期 | 2003.04.16 |
| 申请号 | CN96114100.X | 申请日期 | 1996.12.30 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 郑在宽;朴根雨 |
| 分类号 | H01L29/78 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆弋 |
| 主权项 | 1.一种抗静电电路的晶体管，包括：形成于硅衬底上的阱；形成于所述阱内、用于电极间电隔离的绝缘层；分别位于所述绝缘层间的多个低浓度杂质扩散区；形成于一个低浓度杂质扩散区中的第一高浓度杂质扩散区；形成于另一低浓度杂质扩散区中的第二高浓度杂质扩散区；形成于所述绝缘层和所述低浓度杂质扩散层上的层间绝缘层；形成于所述低浓度杂质扩散区和所述层间绝缘层上的金属栅极；其中，上述第一高浓度杂质扩散区和第二高浓度杂质扩散区中至少一个从有源区的外边缘向内与有源区重叠0.1μm或以上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||