| 主权项 |
1.一种防止光阻残渣产生之方法,包括下列步骤:在一半导体基底上形成一介电层;实施一烘烤处理,以去除该介电层内之水分;以及定义蚀刻该介电层以形成一介层洞。2.如申请专利范围第1项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该烘烤处理更包括通入氮气、氢气、氮气与氢气之混合气体及惰气之一种。3.如申请专利范围第1项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该烘烤温度系在100到400℃的范围。4.如申请专利范围第1项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该烘烤处理之压力在760到10-6Torr的范围。5.如申请专利范围第1项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中藉由电热板、炉管之一种来实施该烘烤处理。6.一种防止光阻残渣产生之方法,适用于双镶嵌结构,包括下列步骤:在一基底上依序形成一导电层、一介电层;定义蚀刻该介电层,以形成一介层洞;实施一烘烤处理以去除该介电层内之杂质;以及定义蚀刻形成有该介层洞之该介电层,以在该介层洞上方形成一沟槽,以完成该双镶嵌结构。7.如申请专利范围第6项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中在形成该介层洞之后,更包括在该介层洞内填入一既定高度之光阻。8.如申请专利范围第6项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该导电层系一铜金属。9.如申请专利范围第6项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该烘烤处理更包括通入氮气、氢气、氮气与氢气之混合气体及惰气之一种。10.如申请专利范围第6项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该烘烤温度系在100到400℃的范围。11.如申请专利范围第6项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该烘烤处理之压力在760到10-6Torr的范围。12.如申请专利范围第6项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中藉由电热板、炉管之一种来实施该烘烤处理。13.如申请专利范围第6项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该杂质系水分及定义蚀刻时之含硷溶剂之至少一种。14.如申请专利范围第7项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该既定高度系该介层洞深度之一半。15.如申请专利范围第7项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该光阻系一i线光阻。16.如申请专利范围第9项所述之防止光阻残渣产生之方法,其中该混合气体之该氢气之含量占该氮气含量之5%。图式简单说明:第1a到1d图系绘示出习知技术之去除光阻残渣之方法;第2图系绘示出习知技术之双镶嵌结构剖面示意图;第3a到3c图系绘示出根据本发明第一实施例之防止光阻残渣产生之方法;第4a到4d图系绘示出根据本发明第二实施例之防止光阻残渣产生之方法。 |
