| 发明名称 |
Mittels einer gefrierenden Prozessflüssigkeit erzeugte Hohlräume mit Submikrometer-Strukturen in einer Halbleitereinrichtung |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von in Submikrometer-Abmessungen strukturierten Hohlräumen (7) in einer Hohlraumschicht (3) einer Halbleitereinrichtung, wobei in den Gräben einer von Stegen (5) und Gräben strukturierten Prozessschicht eine Prozessflüssigkeit zum Gefrieren gebracht, mit einer Deckschicht (9) abgedeckt und anschließend aus den durch Abdecken der Gräben hervorgegangenen Hohlräumen (7) ausgetrieben wird.
|
| 申请公布号 |
DE10142201(A1) |
申请公布日期 |
2003.04.10 |
| 申请号 |
DE2001142201 |
申请日期 |
2001.08.29 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
LEUSCHNER, RAINER;MERGENTHALER, EGON |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;(IPC1-7):H01L21/768;H01L21/764;B81C1/00 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
