具有硅化物膜的半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明是可以将电阻元件等的薄膜电阻值容易地设定为任意值的半导体装置。所述半导体装置具备形成于第1硅区域上的第1硅化物膜与形成于第2硅区域上的第2硅化物膜，第2硅化物膜由与第1硅化物膜相同的硅化物材料构成，同时使其与第1硅化物膜的膜质不同，而具有与第1硅化物不同的薄膜电阻值。这时，例如通过将杂质导入第2硅化物膜自体中使与第1硅化膜的膜质不同，则通过控制杂质的种类和导入条件，可获得具有任意高的薄膜电阻值的第2硅化物膜。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：形成于第1硅区域上的第1硅化物膜；以及第2硅化物膜，形成于第2硅区域上、由与所述第1硅化物膜相同的硅化物材料构成并通过使其与所述第1硅化物膜膜质不同而具有与所述第1硅化物膜不同的薄膜电阻值。