| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung eines Layouts für eine Maske zur Verwendung bei der Halbleiterherstellung, wobei eine zweistufige iterative Optimierung der Lage von Scatterbars in Bezug auf Hauptstrukturen durchgeführt wird. In der ersten Stufe werden nach einer ersten Erzeugung von Scatterbars und Durchführung einer OPC erneut Scatterbars auf Grundlage der korrigierten Hauptstrukturen generiert. Anschließend wird eine erneute OPC durchgeführt, gefolgt von einer erneuten Bildung von Scatterbars. Dies wird wiederholt, bis das Layout ausreichend optimiert ist. Anschließend wird in der zweiten Stufe eine defokussierte Belichtung des Layouts simuliert und bei Bedarf eine weitere Anpassung der Scatterbars durchgeführt. Die erste und zweite iterative Stufe können auch unabhängig voneinander eingesetzt werden. DOLLAR A Beiden Iterationen ist gemein, dass die Position der Scatterbars mit jedem Iterationsschritt variiert und damit optimiert wird, und zwar in Abhängigkeit von einem Vergleich von korrigierten (Iteration A) oder simulierten (Iteration B) Hauptstrukturen mit Referenzstrukturen (beispielsweise den Hauptstrukturen vor Korrektur im Falle der Iteration A, oder gespeicherten Hauptstrukturen im Falle der Iteration B). |
