| 主权项 |
1.一种波浪形深沟的制作方法,适用于一基底,该方法包含有下列步骤:于该基底上形成一具有一开口之遮蔽层;进行一第一蚀刻制程(first etch),用以使开口下之基底产生一正斜率(positive slope)之第一侧壁;进行一第二蚀刻制程(second etch),用以使开口下之基底产生一负斜率之第二侧壁;以及重复交错的进行该第一蚀刻制程以及第二蚀刻制程,去除该开口下方之一预定厚度之基底,以形成一波浪形深沟。2.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,该方法另包含有复数子蚀刻制程,分别设于每一第一蚀刻制程与第二蚀刻制程之间,用以使蚀刻中的深沟产生一预定之过渡斜率(transitionalslope)之过渡侧壁,用以衔接该第一侧壁以及第二侧壁。3.如申请专利范围第2项之制作方法,其中,该过渡侧壁系垂直于该基底之表面。4.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,该第一蚀刻制程与该第二蚀刻制程均包含有源功率、偏压功率以及氧气流量之蚀刻控制参数。5.如申请专利范围第4项之制作方法,其中,该第一蚀刻制程与该第二蚀刻制程之差别为源功率、偏压功率以及氧气流量的其中之一。6.如申请专利范围第2.5项之制作方法,其中,该第一蚀刻制程、第二蚀刻制程以及子蚀刻制程之差别为源功率、偏压功率以及氧气流量的其中之一。7.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,该基底系以矽所构成。8.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,该遮蔽层系以光阻所构成。9.如申请专利范围第1项之制作方法,其中,该遮蔽层系以氮化矽所构成。图式简单说明:第1图为一种习知用于DRAM的DT示意图;第2图为一种瓶状DT的示意图;第3图为一种MEMS的震动/摆动(shock/vibration)侦测器的剖面示意图;第4A图为本发明之波浪形深沟应用于DRAM之电容的示意图;第4B图为本发明之波浪形深沟应用于MEMS之震动/摆动侦测器的示意图;第4C图为第4A图或第4B图的一种局部放大图;第4D图为第4A图或第4B图的另一种局部放大图;以及第5A图以及第5B为进行本发明之波浪形深沟的制作方法时的晶片剖面示意图。 |
