| 主权项 |
1.一种MOS电晶体制造方法,系包括:将闸极绝缘膜形成于半导体基板之上的步骤;将由多晶矽或非晶矽所制成的矽膜形成于该闸极绝缘膜之上的步骤;以800到1000℃的温度在1到10秒的持续时间内施行热处理加到该矽膜上的步骤;将杂质离子植入该矽膜内的预搀杂的步骤;藉由蚀刻该矽膜,将闸极电极制作成图案的步骤;在该闸极电极的侧边部分上形成各侧壁的步骤;藉由将各离子植入该闸极电极和该半导体基板内使该闸极电极搀杂有杂质的步骤;以及在该半导体基板的表面上形成源极和汲极。2.如申请专利范围第1项之MOS电晶体制造方法,其中该热处理指的是一种于氮大气或是包含其内添加有少于1容积%之氧的氮大气中施行的RTA处理。3.如申请专利范围第1项之MOS电晶体制造方法,其中该热处理指的是一种使用卤素灯的RTA处理。4.如申请专利范围第1项之MOS电晶体制造方法,其中该闸极绝缘膜系由厚度小于2奈米之氮氧化矽物质所形成的。5.如申请专利范围第1项之MOS电晶体制造方法,其中该矽膜系利用化学气相沉积法形成的。6.如申请专利范围第1项之MOS电晶体制造方法,其中系包括在施行将闸极电极形成于半导体基板上的步骤之前,将元件隔离区域形成于该半导体基板之表面上的步骤。图式简单说明:第1A到1D图系依制程顺序用以显示出一种根据本发明第一实施例之MOS电晶体制造方法的截面图示。第2A到2C图系用以显示一种根据本实施例跟随着第1图MOS电晶体制造方法之步骤的截面图示。第3图到3C图系依制程顺序用以显示一种根据本发明第二实施例之MOS电晶体制造方法的截面图示。第4图系用以显示比较用实例及本发明各实施例之闸极尺寸变化的曲线图示。第5A到5C图系依制程顺序用以显示一种习知MOS电晶体制造方法的截面图示。第6A到6C图系用以显示一种根据习知设计跟随着第5图MOS电晶体制造方法之步骤的截面图示。 |
