| 主权项 |
1.一种CMOS分压器,其具有由串联之第一导电型(N)之MOS电晶体(N0-N4)所构成之第一链(A),这些电晶体具有相同之几何大小及相同之闸极-源极-电压且操作在其特性区之线性区域中,在各链之相面对之末端之间施加该待划分之输入电压(VIN)且在其各源极端分别可测得各分压,其特征为:设有由串联之与第一MOS电晶体(N0-N4)互补之MOS电晶体(P0-P4)所构成之第二链(B),其电晶体之数目及几何大小是与第一MOS电晶体者相同,第一链(A)之MOS电晶体须与第二链(B)之MOS电晶体相连,每一MOS电晶体链(A,B)分别产生另一MOS电晶体链(B,A)所用之闸极-源极-偏压。2.如申请专利范围第1项之CMOS分压器,其中第一MOS电晶体链A含有N-通道-MOS电晶体(N0-N4)、第二MOS电晶体链B含有P-通道-MOS电晶体(P0-P4)。3.如申请专利范围第2项之CMOS分压器,其中N-通道-MOS电晶体(N0-N4)之汲极端分别与P-通道-MOS电晶体(P0-P4)之互相连接之闸极端相连,P-通道-MOS电晶体(P0-P4)之汲极端分别与N-通道-MOS电晶体(N0-N4)之互相连接之闸极端相连,第二MOS电晶体链B之源极端及汲极端分别施加一种电源电压(VP,VG),其满足:VGVthreshold;VPVG+VIN,其中Vthreshold是N-通道电晶体和P-通道-MOS电晶体之临限电压之最大値,VIN是待划分之输入电压。图式简单说明:第1图分压器之电路配置,其可由一种输入电压产生4种均匀分布之输出电压。 |
