| 发明名称 |
Nichtflüchtige zwei-Transistor Speicherzelle mit einem einzigen Polysiliziumgate |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69625755(D1) |
申请公布日期 |
2003.02.20 |
| 申请号 |
DE19966025755 |
申请日期 |
1996.07.18 |
| 申请人 |
MOTOROLA, INC. |
发明人 |
PARRIS, PATRICE M.;SEE, YEE-CHAUNG |
| 分类号 |
G11C17/00;G11C16/02;G11C16/04;G11C17/08;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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