APARATO DE CVD DE PLASMA.

摘要

LA INVENCION SE REFIERE A UN APARATO DE DEPOSICION QUIMICA EN FASE DE VAPOR DE PLASMA, DESTINADO A FORMAR UNA PELICULA FINA AMORFA, UNA PELICULA FINA MICROCRISTALINA O UNA PELICULA FINA POLICRISTALINA SOBRE LA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO (33). DICHO APARATO COMPRENDE UN RECIPIENTE DE REACCION (31) EN EL QUE SE DISPONE EL SUSTRATO (33); MEDIOS PARA INTRODUCIR UN GAS REACTIVO EN DICHO RECIPIENTE (31) Y PARA DESCARGAR EL GAS RESIDUAL DESDE EL RECIPIENTE DE REACCION (31); UN ELECTRODO ESCALIFORME (32), ES DECIR UN ELECTRODO DE ANTENA ESCALIFORME O UN ELECTRODO DE ESPIRA PLANA ESCALIFORME, ALBERGADO EN EL RECIPIENTE DE REACCION (31) PARA GENERAR UNA DESCARGA LUMINISCENTE; Y UNA FUENTE DE ENERGIA (36) PARA SUMINISTRAR ENERGIA ELECTRICA AL ELECTRODO ESCALIFORME (32), PARA PERMITIR QUE DICHO ELECTRODO GENERE UNA DESCARGA LUMINISCENTE. EN DICHO DISPOSITIVO, SE FORMA UNA LINEA DE SUMINISTRO DE ENERGIA QUE UNE EL ELECTRODO EN FORMA DE ANTENA (32) Y LA FUENTE DE ENERGIA (36), CONSTITUIDA POR UN CABLE COAXIAL, Y EL ELECTRODO ESCALIFORME (32) NO ESTA CONECTADO A TIERRA A TRAVES DE UN HILO DE MASA.