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Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren vorgeschlagen, mit dem unterschiedliche Strukturen, wie z.B. Grobstrukturen und Feinstrukturen, unabhängig voneinander in einem Siliziumwafer oder in der Funktionsschicht eines Schichtaufbaus für Oberflächenmikromechanik erzeugt werden können. Dazu wird der Siliziumwafer (1) bzw. die Funktionsschicht zunächst mit mindestens einer ersten Maskierschicht versehen, die so strukturiert wird, dass ein Teil der zu erzeugenden Strukturen (11 bis 17) in einem Ätzvorgang erzeugt werden kann. Der so maskierte Siliziumwafer (1) bzw. die so maskierte Funktionsschicht wird dann mindestens einem ersten Ätzvorgang unterzogen, nach dem die entsprechende erste Maskierschicht entfernt wird. Erfindungsgemäß wird der Siliziumwafer (1) bzw. die Funktionsschicht nach dem mindestens einen ersten Ätzvorgang und dem Entfernen der mindestens einen ersten Maskierschicht mindestens einmal mit einer weiteren Maskierschicht (3) versehen, so dass die bereits erzeugten Strukturen (11 bis 16) gegen einen weiteren Ätzangriff geschützt sind. Diese weitere Maskierschicht (3) wird strukturiert, bevor der so maskierte Siliziumwafer (1) bzw. die so maskierte Funktionsschicht einem weiteren Ätzvorgang unterzogen wird und die weitere Maskierschicht (3) nach dem weiteren Ätzvorgang entfernt wird. <IMAGE>
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