发明名称 |
控制薄膜厚度以实现均匀膜厚的喷涂装置及方法 |
摘要 |
一种喷涂装置包括:喷涂单元,它根据喷涂条件将光刻胶喷涂到半导体晶片上;厚度测量单元,它用于测量所喷涂的光刻胶的薄膜厚度;以及控制单元,它用于控制喷涂单元。根据用于预定数目样品的喷涂条件的信息以及预定数目样品上的薄膜厚度的信息,控制单元描绘出近似曲线,该曲线代表了薄膜厚度与预定数目样品的喷涂条件之间的关系。当喷涂装置开始其实际操作时,控制单元在所绘制出的近似曲线的基础上根据厚度目标值计算出喷涂条件的修正值,并且根据计算出来的修正值产生控制信号以控制喷涂条件。 |
申请公布号 |
CN1392594A |
申请公布日期 |
2003.01.22 |
申请号 |
CN02122589.3 |
申请日期 |
2002.06.14 |
申请人 |
日本电气株式会社 |
发明人 |
岛根誉 |
分类号 |
H01L21/027;H01L21/30;B05C5/00;B05C11/08;G03F7/16 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
穆德骏;方挺 |
主权项 |
1.一种喷涂装置,包括:喷涂单元,它根据至少一个喷涂条件通过旋转喷涂法将光刻胶喷涂到半导体晶片上;厚度测量单元,它用于对所述喷涂单元喷涂到半导体晶片上的光刻胶的薄膜厚度进行测量;以及控制单元,它用于控制所述喷涂单元,其特征在于:根据所述喷涂单元发送的用于预定数目样品的至少一个喷涂条件的信息以及所述厚度测量单元发送的所述预定数目样品的薄膜厚度信息,所述控制单元描绘出近似曲线或回归曲线,该曲线代表了薄膜厚度与所述预定数目样品的所述至少一个喷涂条件之间的关系;以及当所述喷涂装置开始其实际操作时,所述控制单元在与所述预定数目样品相关联描绘的所述近似曲线或所述回归曲线的基础上,根据所述喷涂单元中预设好的厚度目标值计算出所述至少一个喷涂条件的修正值,而且所述控制单元还根据计算出来的修正值产生控制所述至少一个喷涂条件的控制信号,从而由所述控制信号来控制所述喷涂单元。 |
地址 |
日本东京 |