| 主权项 |
1.一种半导体陶瓷晶片型电子被动元件之制作方法,系包括下列步骤:首按目的制品之功能特征,从逐一精确秤取配方完整的特质构成材料组成剂量开始,循混合搅拌、烘乾、锻烧直至粉末颗粒还原后,并同适量有机黏结剂一起置入可供密闭施予连续混合研磨,令粉剂彻底呈现均一微细粒子的洁净容器内;使制成高抗张强度之黏糊状流动浆体,注入一悬起高度恰合膜化作业的贮存槽内,藉输入额定气压暨该贮存槽底部原已设有的「可调式薄膜成型刀口」结构装置;使塑成具坚韧延展性之匀称生胚薄膜,正好平整舖置在表面贴有均厚矽胶薄板的承载盘上,依照原定膜层;使直接对整叠合制成单体晶片型,或将之循序准位定置在特有的机具台面上,轮流朝各该晶片个体单元的相对端(或相对侧端等距平行)交互精密印制内电极;使交相对准叠合成为多层晶片型、阵列式晶片型大形方块粗胚;嗣于其固化后,循切割、高温烧除黏结剂、高温致密烧结、高温烧附端电极;藉以制成轻薄、短、小具精致微观尺寸之晶片实体者。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该有机黏结剂系将丙烯酸颗粒溶解于有机溶剂,据以制成的均匀液态混合物。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该「可调式薄膜成型刀口」系由两片具有相同长、宽、厚,双面细致平滑刨光、刀口呈锋利状态,不被轻易磨损或凹陷破裂,使呈具有开闭作用之平行活叶,容许在有效的间距限定范围内按实际膜厚成型需要调整之;使引出一致性的匀称生胚薄膜。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该承载盘系以正方形硬质铝合金属所制成,于其表面正中贴附有略小尺寸之正方形矽胶薄板,令生胚薄膜平整舖置并固结其上;使于执行晶片成形切割时,据可防止刀刃直接伤及承载盘表面,且于晶片完成切割后,方便自承载盘上全数移离;又该承载盘于清除残渣余屑后,可再重复使用。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该承载盘之底面系设有椭圆形定位孔,使与印制内电极之机具台面上之硬质圆形凸出柱,相互紧密栓合而丝无发生晃动或滑移现象者。图式简单说明:第1图为本发明有关半导体陶瓷单体晶片型、多层晶片型、阵列式晶片型等电子被动元件之制作流程图;第2图为本发明第一、第二、第三实施例共所通用,表面贴有矽胶薄板之承载盘立体示意图;第3图为本发明第一、第二、第三实施例悉皆按照晶片特定成形要件,将塑成之生胚薄膜直舖置在表面贴附有矽胶薄板的承载盘之立体分解示意图;第4图为本发明第一实施例依照晶片规格成形要件,将生胚薄膜直接对准叠合,使成大形生胚方块之立体示意图;第5图为本发明第一实施例系将第4图叠合完成之大形生胚方块,于固结后,根据晶片成形尺寸,直接在承载盘上施予切割之立体示意图;第6图为第5图沿A-A、B-B线完成切割,成为晶片个体单元之粗胚立体示意图;第7图系将第6图之晶片个体单元粗胚,藉高温烧结成坚实致密个体单元后,在其两端烧附有端电极之立体示意图;第8图系将第7图之坚实致密个体单元,除烧附有端电极以外之晶片表面均予涂蔽绝缘保护层,据以制作出单体晶片型之一完整的成品立体示意图;第9图系将第7图两端烧附有端电极之晶片表面C及底面D交互朝相对端印制与各该端电极相密接之电极交变薄层之立体示意图;第10图系仅将第9图晶片表面C及底面D电极交变薄层上,予以涂蔽绝缘保护层,据以制作出单体晶片型之又一完整的成品立体示意图;第11图为本发明第二实施例暨第三实施例共所使用,便于准位定置之方形承载盘底面之立体示意图;第12图为本发明第二实施例暨第三实施例应用于介电层精密印制内电极与机具台面准位模合定置之立体分解图;第13图为本发明第二实施例暨第三实施例于印制内电极时,承载盘与机具台面稳固贴合之立体示意图;第14图为本发明第二实施例系按介电层单一层厚,据将生胚薄膜铺置在第2图所示之承载盘上,于其固化后之表面朝各个多层晶片个体单元粗胚之一端精密印制内电极(如本图E所示),待烘乾后,再于其平整叠合等厚之另一介电层,复朝相对端印妥内电极(如本图F所示)之立体示意图;第15图为第14图循序朝每一生胚薄膜之表面相对端交互印妥多个整齐并列之内电极,藉以制成电极交变薄片,随按晶片原定膜层轮流叠合完成,据于大形方块粗胚表面印制该多层晶片个体单元粗胚便于精准辨识之切割线立体示意图;第16图为第15图沿G-G、H-H线完成切割,据从承载盘表面所贴附之矽胶薄板上逐一移离,使成为多层晶片个体单元粗胚之立体示意图;第17图系将第16图之多层晶片个体单元粗胚,藉高温烧结成坚实致密个体单元后,随在其两端烧附有端电极,据以制作出多层晶片个体单元的成品立体示意图J,及其立体剖析图K所示;第18图为本发明第三实施例系于生胚薄膜之表面以等距间隔布满许多尺寸相同的阵列式晶片粗胚个体单元,朝各个晶片个体单元之一侧端同时印制数个内电极,如本图L所示,待其乾燥后,又在其上平整叠合另一相同等厚之生胚薄膜,朝相对侧端平行印制数个内电极,如本图M所示之立体示意图;第19图为第18图据将制作成为阵列式晶片专属之电极交变薄片依照制成品原定膜层,交互对准叠合成大形方块粗胚如本图N所示,并按阵列式晶片个体单元在该大型方块粗胚正确排列之里藏位置,于其表面施予油墨印制与该晶片个体单元之内电极相同准位图腾及切割线标示,如本图O所示之立体示意图;第20图系据从第19图大形方块粗胚,沿V-V、W-W精准切割成阵列式晶片个体单元粗胚之完整立体示意图;第21图系将第20图之阵列式晶片个体单元,高温烧结后,于其横向排列之又一小个体单元之两端烧附端电极,制成之实体示意图;第22图系为第21图之阵列式晶片立体解剖图。第23图为习知之单体晶片型元件之制作方法,其系将挤出之生胚薄片置于能耐高温之陶瓷平盘上,如本图P所示,复经高温烧结收缩后,如本图P'所示,切割成晶片小方块,如本图Q所示,随于两端烧附端电极即成单体晶片实体,如本图R所示之立体示意图。第24图为习知之多层晶片型元件之制作方法,其系将刮刀成形之生胚薄膜,其表面朝相对端网印有内电极,如本图S所示,随按制成品原定层数叠置压合成多层晶片元件粗胚,如本图T所示,复经高温烧结后,于其两端烧附端电极即成多层晶片元件实体,如本图U所示之立体解剖示意图。 |
