| 主权项 |
1.一种用于测试半导体装置之方法,包括:(a)选择一个有一外缘之底座结构;(b)在该底座结构上放置一黏膜将一半导体晶圆保持在底座结构上之定位而使得该黏膜与该半导体晶圆均不会伸越该底座结构之外缘;及(c)探测晶圆上之半导体零件以确定其生存能力。2.如申请专利范围第1项之方法,其中之放置步骤更包括在底座结构与黏膜间放置一个网状层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中之放置步骤更包括在晶圆上之半导体零件与底座结构间提供一导电通路。4.如申请专利范围第1项之方法,其中之底座结构含有导电材料。5.如申请专利范围第1项之方法,其中之黏膜为含有黏胶特性之可摺材料。6.如申请专利范围第1项之方法,其中之选择步骤更包括形成一真空孔伸过底座结构而造成真空将黏膜从晶圆拉开而朝向底座结构并可使晶圆从黏膜处释放。7.一种测试半导体装置之方法,包括:(a)选择一个有一外缘之底座结构;(b)在底座结构上放置一黏膜将一半导体晶圆保持在该底座结构上之定位而使得黏膜与半导体晶圆均不会伸越底座结构之外缘;(c)在晶圆上之半导体零件与底座结构间形成一导电通路;及(d)探测晶圆上之半导体零件以确定其生存能力。8.如申请专利范围第7项之方法,其中之放置步骤更包括在底座结构与黏膜间放置一个网状层。9.如申请专利范围第7项之方法,其中之底座结构含有导电材料。10.如申请专利范围第7项之方法,其中之黏膜为有黏胶特性之可摺材料。图式简单说明:图1为本发明装置之等积放大图;及图2为图1装置沿2-2线取下之断面图。图3为图2底座结构如何与真空核对共同工作之断面图。 |
