| 主权项 |
1.一种半导体装置(100,200,300,400,500)具有复数组储存装置(B0,B1,B2,B3)及复数组内部电源供应器电压产生电路(13,14,14a-14h)用以产生一提供给该等储存单元之内部电源供应器电压,该半导体装置之特征为具有至少一连接至该等电源供应器电压产生电路之控制电路(1,15,16)俾控制该等内部电源供应器电压产生电路,其中该控制电路依据已启动储存单元中之至少一组储存单元之电流消耗而调整该等内部电源供应器电压产生电路之电流供应量。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中电流消耗依据该半导体装置之一运作频率而改变,以及其中控制电路依据该运作频率来调整被启动之内部电源供应器电压产生电路之数量。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该半导体装置之运作频率系配合一循环时间(tRC)其开始于每一储存单元被启动之时以及终止于每一储存单元下一次被启动之时。4.如申请专利范围第1项之半导体装置(300,400,500),其中每一储存单元系回应一外部信号(A0-A3)而被启动,以及其中控制电路系依据已启动之一或多组储存单元之位置来选择一或多组即将被启动之内部电源供应器电压产生电路。5.如申请专利范围第1项之半导体装置(300,400,500),其中复数组储存单元包含一第一储存单元及一位于该第一储存单元邻近处之第二储存单元,其中复数组内部电源供应器电压产生电路包含复数组分派给第一储存单元之第一内部电源供应器电压产生电路及复数组分派给第二储存单元之第二内部电源供应器电压产生电路,以及其中当第一储存单元被启动时,该控制电路即启动第一及第二内部电源供应器电压产生电路中之至少一组电路。6.如申请专利范围第5项之半导体装置(300,400,500),其中当第一储存装置被启动时,控制电路即启动全部之第一内部电源供应器电压产生电路以及至少一组第二内部电源供应器电压产生电路。7.一种用以产生一半导体装置(100,200,300,400,500)之内部电源供应器电压(Vpp)之方法而该半导体装置具有复数组储存单元(B0-B3)及复数组内部电源供应器电压产生电路(13,14,14a-14g),其中复数组储存单元包含一第一储存单元及一位于该第一储存单元邻近处之第二储存单元,以及复数组内部电源供应器电压产生电路包含至少一组相关于第一储存单元之第一内部电源供应器电压产生电路及至少一组相关于第二储存单元之第二内部电源供应器电压产生电路,本方法之特征为以下步骤:依据至少一组已启动储存单元之电流消耗来决定即将被启动之内部电源供应器电压产生电路之数量;以及藉着启动已决定数量之内部电源供应器电压产生电路而提供一内部电源供应器电压给该至少一组已启动之储存单元,其中当第一储存单元被启动时,至少一组第一内部电源供应器电压产生电路及至少一组第二内部电源供应器电压产生电路被启动。8.一种用以产生一半导体装置(100,200,300,400,500)之内部电源供应器电压(Vpp)之方法而该半导体装置具有复数组储存单元(B0-B3)其包含一第一储存单元及一位于该第一储存单元邻近处之一第二储存单元,本方法之特征为以下步骤:分派复数组内部电源供应器电压产生电路(13,14,14a-14g)给每一储存单元,其中内部电源供应器电压产生电路可产生提供给该等储存单元之内部电源供应器电压,以及其中每一内部电源供应器电压产生电路之电流供应容量系等于或少于一储存单元被启动时之电流消耗。9.一种用以产生一内部电源供应器电压之方法,具有复数组储存单元及复数组内部电源供应器电压产生电路用以产生一提供给该等储存单元之内部电源供应器电压,本方法之特征为以下步骤:检测已启动之储存单元之一数量M;以及决定依据该数量M而即将被启动之内部电源供应器电压产生电路之一数量X,该即将被启动之内部电源供应器电压产生电路之数量X系表达为X<N<M,其中N代表当仅有一组储存单元被启动时之被启动内部电源供应器电压产生电路之数量。10.一种半导体装置(200,300,400,500)具有复数组储存单元(B0-B3)及复数组连接至该等储存单元之内部电源供应器电压产生电路(13)而当该等电路被启动时系用以产生一提供给该等储存单元之内部电源供应器电压,本半导体装置之特征为:一连接至该等内部电源供应器电压产生电路之控制电路(11)俾控制该等内部电源供应器电压产生电路,其中该控制电路依据已启动储存单元之数量而选择式启动该等内部电源供应器电压产生电路。11.如申请专利范围第10项之半导体装置(300,400,500),其中复数组储存装置包含一第一储存单元及一位于该第一储存单元邻近处之第二储存单元,其中复数组内部电源供应器电压产生电路包含复数组分派给第一储存单元之第一内部电源供应器电压产生电路及复数组分派给第二储存单元之第二内部电源供应器电压产生电路,以及其中当第一储存单元被启动时,该控制电路即启动第一及第二内部电源供应器电压产生电路中之至少一组电路。12.如申请专利范围第10项之半导体装置(300,400,500),其中当第一储存装置被启动时,控制电路即启动全部之第一内部电源供应器电压产生电路以及至少一组第二内部电源供应器电压产生电路。13.如申请专利范围第10项之半导体装置(300,400,500),其中每一储存单元系连接至一由复数组内部电源供应器电压产生电路所形成之内部电源供应器电压产生电路群(12a-12g)处。14.如申请专利范围第13项之半导体装置,其中该控制电路系依据已启动储存单元之电流消耗而实质地启动每一内部电源供应器电压产生电路群中之相同数量之内部电源供应器电压产生电路。图式简单说明:第1图系习知内部电压产生电路之示意方块图;第2图系一时序图其显示已启动储存单元之数量与RAS循环时间之间的关系;第3图系本发明第一实施例之内部电压产生电路之示意方块图;第4图系本发明第二实施例之内部电压产生电路之示意方块图;第5图系一图式其显示已启动储存单元之数量,电流消耗,以及第4图之内部电压产生电路中之电流供应之间的关系;第6图系本发明第三实施例之内部电压产生电路之示意方块图;第7图系一图式其显示已启动储存单元之数量,电流消耗,以及第6图之内部电压产生电路中之电流供应之间的关系;第8图系一图式其显示本发明第四实施例之内部电压产生电路之一布局;以及第9图系一图式其显示本发明第五实施例之内部电压产生电路之一布局。 |
