/ Method for forming semiconductor devices having contact pad on source/drain region of pheripheral circuitry

摘要

반도체 기판 상에 복수개의 메모리 셀을 가진 메모리 셀부와 상기 메모리 셀부의 메모리 셀에 데이타를 쓰고 읽기 위한 주변회로부로 이루어진 반도체 장치의 형성방법에 관한 것으로, 상기 메모리 셀부 뿐만 아니라 주변회로부 트랜지스터의 소오스/드레인 영역 상에 컨택패드가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 메모리 셀부와 주변회로부 트랜지스터의 소오스/드레인 영역을 연결하는 컨택패드를 동시에 형성함으로써, 각 패드간 단차가 존재하지 않아 상기 컨택패드에 금속 컨택의 형성이 용이해진다.